УДК 681.586.783.621.793 К содержанию СИНТЕЗ И ВЕРИФИКАЦИЯ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ АНИЗОТРОПНОГО МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО МОСТОВОГО СЕНСОРА А. В. <...> Воробьев Предлагается анализ анизотропного магниторезистивного эффекта, наблюдаемого в тонких пермаллоевых магнитных пленках, синтезируется обобщенная математическая модель АМР-датчика, а также выполняется ее верификация. <...> ВВЕДЕНИЕ Известно, что современная промышленность располагает достаточно широким рядом информационно-измерительных устройств и систем, построенных на базе различных магниторезистивных эффектов, с той или иной точностью обеспечивая регистрацию параметров магнитных полей в некотором амплитудно-частотном диапазоне. <...> Среди магниторезистивных эффектов в первую очередь следует выделить следующие: физический и геометрический эффекты магнитосопротивления; гигантский магниторезистивный эффект (GMR-эффект); магниторезистивный эффект на базе спин-зависимого туннелировония (SDT-эффект); анизотропный магниторезистивный эффект (AMR-эффект). <...> Из перечисленных эффектов магнитосопротивления в настоящее время наибольшее распространение в области построения прецизионных магнитных датчиков получил AMR-эффект. <...> Такая ситуация, в первую очередь, связана со следующими, присущими этим датчикам, качествами: — высокая разрешающая способность (∆B до ∼2,7 нТл); — высокий показатель чувствительности (γ = = 4 мВ/В/Тл•10–4); — линеаризованная выходная характеристика датчика в рабочем диапазоне; — чувствительность к знаку измеряемого магнитного поля; — относительно широкий диапазон рабочих частот ( f = 0.1 МГц); — широкий диапазон рабочих температур (–55. <...> +150 °C); — низкое сопротивление (R ∼ 850 Ом), что минимизирует тепловой шум магниторезистивного преобразователя: FT(ω) = 4kTR, где FT(ω) — спектральная плотность теплового шума магниторезистора (постоянная в широком диапазоне частот); R — сопротивление магниторезистора; k — 40 Sensors & Systems · ¹ 5.2012 постоянная Больцмана; T — абсолютная <...>