КОНСТРУИРОВАНИЕ И ПРОИЗВОДСТВО ДАТЧИКОВ, ПPИБОPОВ И СИСТЕМ УДК 53.082.9 ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СПИН-ТУННЕЛЬНЫХ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ ПЕРЕХОДОВ FREQUENCY CHARACTERISTICS OF SPIN-TUNNEL MAGNETORESISTIVE JUNCTIONS 1) Поляков Петр Александрович д-р физ.-мат. наук, профессор E-mail: polyakovpa@mail.ru 1) Поляков Олег Петрович канд. физ.-мат. наук, ассистент 2) Касаткин Сергей Иванович д-р техн. наук, зав. лабораторией E-mail: serkasat@ipu.rssi.ru 3) Амеличев Владимир Викторович канд. техн. наук, рук. отдела 1) Московский государственный университет им. <...> В. А. Трапезникова РАН, Москва 3) Научно-производственный комплекс “Технологический центр”, Зеленоград Аннотация: Приведены результаты анализа высокочастотных свойств спин-туннельных магниторезистивных (СТМР) переходов на базе многослойной полоски из FeNiCo—MgO—CoNi наноструктуры на основе уравнения Ландау-Лившица. <...> Проведен анализ частотных характеристик СТМР-переходов на основе наноструктуры из низкоанизотропных FeNiCo ферромагнитных пленок различных размеров и толщины. <...> Trapeznikov Institute of Control Sciences of RAS, Moscow 3) Scientific and Production Complex “Technological Centre”, Zelenograd Abstract: In article results of the analysis high-frequency properties of spin-tunneling magnetoresistive (STMR) junctions on the basis of a multilayered strip from FeNiCo—MgO—CoNi nanostructure on the basis of equation Landau-Lifshitz are resulted. <...> Keywords: spin-tunneling magnetoresistive junction, ferromagnetic nanostructure, frequency properties. наноструктурах и нанотехнологии. <...> В этой области одними из наиболее перспективных являются спин-туннельные магниторезистивные (СТМР) элементы на основе переходов, в которых достигнута величина эффекта в сотни процентов при комнатной температуре. <...> В мире выпускаются СТМР преобразователи и градиометры магнитного поля и тока, головки считывания для магнитных дисков и лент, ведутся разработки биосенсоров, однокристальных запоминающих устройств с произвольной выборкой (ЗУПВ), логических элементов и спиновых транзисторов [1—3]. <...> Данные наноструктуры обладают высокочастотными (ВЧ) свойствами, которые используются в преобразователях магнитного поля и тока, запоминающих <...>