33–40 УДК 546.537.86.87 ВЛИЯНИЕ ВИСМУТА НА ПАРАМЕТРЫ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GaInSbAsP, ВЫРАЩЕННОГО НА ПОДЛОЖКЕ GaSb © 2017 г. Д. <...> Пащенко1 *e-mail: lunin_ls@mail.ru Поступила в редакцию 25.02.2016 г. В рамках модели простых растворов проведен анализ гетерофазных равновесий в системе Ga–In– Sb–As–P–Bi. <...> На основе проведенного анализа методом зонной перекристаллизации градиентом температуры выращен твердый раствор GaInAsSbPBi на подложке GaSb. <...> Показано, что введение висмута в твердый раствор GaInAsSbP расширяет область его существования, уменьшает ширину запрещенной зоны, увеличивает относительное рассогласование слоя и подложки при концентрации Bi > 0.3 ат. %, но уменьшает пределы составов изопериодных гетероструктур GaInAsSbPBi/GaSb. <...> Ключевые слова: термодинамические и кристаллохимические параметры твердого раствора GaInAsSbPBi DOI: 10.7868/S0002337X17010018 ВВЕДЕНИЕ Использование пятикомпонентных твердых растворов позволяет независимо регулировать период решетки, ширину запрещенной зоны и коэффициент термического расширения (КТР) [1]. <...> Это дает возможность получать на основе подложек бинарных соединений изопериодные и изоэкспандные (согласованные по КТР) эпитаксиальные гетероструктуры, работающие в более широком спектральном диапазоне, чем в случае четверных твердых растворов [2–4]. <...> Висмутсодержащие многокомпонентные твердые растворы на основе антимонида галлия прежде всего интересны для фотоприемных устройств 0.8– 5 мкм [1–6]. <...> Однако получение таких гетероструктур сопряжено с рядом трудностей: наличие обширных областей несмешиваемости, высокая химическая активность поверхности таких эпитаксиальных слоев, приводящая к деградации, наличие областей нестехиометрических составов, повышенная дефектность и т.д. <...> . В связи с этим актуальной задачей является исследование гетерофазных равновесий в системах Ga–In–Sb–As–P–Bi и разработка новых методов выращивания твердых растворов на основе антимонида галлия. <...> Одним из методов получения полупроводниковых гетероструктур <...>