151–160 МОДЕЛИРОВАНИЕ УДК 621.382.323 МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА В НЕОДНОРОДНО ЛЕГИРОВАННОЙ РАБОЧЕЙ ОБЛАСТИ ДВУХ ЗАТВОРНОГО КНИ КМОП НАНОТРАНЗИСТОРА © 2017 г. Н. В. Масальский Федеральное государственное учреждение Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт Российской АН, 117218, г. Москва, Нахимовский просп., 36, корп. <...> 1 E-mail: volkov@niisi.ras.ru Поступила в редакцию 23.05.2016 г. Обсуждается один из возможных подходов к аналитическому решению 2D-уравнения Пуассона для потенциала в рабочей области двух затворного КМОП нанотранзистора со структурой “кремний на изоляторе” с неоднородно легированной рабочей областью в виде функции Гаусса. <...> На основе численных решений уравнения Пуассона анализируются зависимости от параметров профиля легирования ряда основных электрофизических характеристик, таких как распределение потенциала в рабочей области, порогового напряжения и подпорогового тока при разных технологических параметрах. <...> Для выбранных топологических норм оптимизация параметров профиля легирования предоставляет дополнительную возможность управления ключевыми характеристиками наряду с толщиной рабочей области и толщиной подзатворного окисла фронтального затвора, что важно при анализе применимости нанотранзисторных структур. <...> Рассматриваются физические ограничения для оптимизации электрофизических характеристик, в частности, эффективного подавления коротко-канальных эффектов. <...> Результаты моделирования находятся в хорошем соответствии с данными моделирования, полученными при помощи коммерчески доступного для 2D моделирования транзисторных структур программного пакета ATLASTM . <...> Она более гибкая по сравнению с традиционными планарными полевыми транзисторами, потому что больше параметров, таких как толщина рабочей области, толщина окиси фронтального и обратного затвора, девиация затворных напряжений, могут быть использованы для оптимизации электрофизических характеристик <...>