114–117 ТЕХНОЛОГИИ МИКРОИ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ УДК 621.382.002 ГАЗОФАЗНОЕ ТРАВЛЕНИЕ СЛОЕВ SiO2 В СМЕСИ HF/C2H5OH © 2017 г. Г. А. Рудаков НПК “Технологический центр” г. Москва, г. Зеленоград, проезд 4806, д. <...> 5 E-mail: grudakov@gmail.com Поступила в редакцию 09.06.2016 г. Рассмотрен способ сухого травления слоев SiO2 при формировании МЭМС структур, не приводящий к залипанию подвижных элементов. <...> Травление жертвенного SiO2 в плавиковой кислоте (HF), находящейся в газовой фазе (ангидрид HF), позволяет исключить последующие сложные процессы промывки и сушки необходимые при использовании жидкостных методов травления. <...> Использование безводной смеси HF/C2H5OH при низком давлении решает проблемы конденсации воды, образующаяся при травлении в парах HF, и позволяет применять газофазное травление в поверхностных МЭМС технологиях. <...> Исследована зависимость скорости травления пленок термического SiO2 при температурах от 30 до 50°С и давлении в камере реактора от 10 до 20 кПа. <...> DOI: 10.7868/S0544126917010094 ВВЕДЕНИЕ Ключевым этапом в процессе производства МЭМС является удаление жертвенных слоев SiO2. <...> На данном этапе не всегда возможно использовать жидкостное травление ввиду проблем, связанных с эффектом залипания подвижных частей прибора. <...> Альтернативным способом удаления жертвенных слоев без залипания является газофазное травление в парах безводного HF и C2H5OH. <...> Способ травления SiO2 в парах HF возник еще в 60-х годах прошлого века, незадолго после появления самой МЭМС-технологии [1]. <...> Активное развитие данного способа травления началось в 90-х годах прошлого века вместе с началом массового производства МЭМС-элементов в мировом масштабе. <...> В процессе развития, технология травления в парах HF претерпевала ряд конструктивных и технологических изменений, которые были направлены на улучшение выходных характеристик процесса, таких как скорость травления, селективность, чистота и т.д. <...> Результатом такого эволюционного развития стал процесс газофазного травления, основанный на использовании <...>