259–263 РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ УДК 538.91:621.315.52 ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ В МОНОКРИСТАЛЛАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО © 2017 г. И. Б. Парфентьева, Б. В. Пугачев, В. Ф. Павлов, Ю. <...> Козлова1 С. Н. Князев, Т. Г. Югова АО “Гиредмет”, Москва 1Институт ядерных исследований РАН, Москва E-mail: P_Yugov@mail.ru Поступила в редакцию 18.12.2015 г. Обнаружено влияние отклонения ориентации затравки от направления [100] на формирование дислокационной структуры монокристаллов арсенида галлия, полученных методом Чохральского. <...> При отклонении на угол более 3° в области, сдвинутой по радиусу к одной стороне кристалла, происходит интенсивное размножение дислокаций и образование блочной структуры. <...> Линейная плотность дислокаций в стенках изменяется от 1 Ч 104 см–1 в малоугловых границах и достигает величины 6 Ч 104 см–1 в субграницах. <...> DOI: 10.7868/S0023476117020205 ВВЕДЕНИЕ Одним из наиболее востребованных полупроводниковых материалов после кремния является арсенид галлия. <...> Арсенид галлия (АГ) и твердые растворы на его основе в силу ряда фундаментальных свойств нашли широкое применение при изготовлении различных оптоэлектронных приборов, приборов СВЧ-техники, микроэлектроники, силовой электроники. <...> Одним из основных параметров, определяющих пригодность материала, наряду с концентрацией носителей заряда является плотность дислокаций. <...> Основным методом выращивания монокристаллов АГ является метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава. <...> Методу Чохральского присущи некоторые особенности, ограничивающие возможности получения материала с малой плотностью дислокаций. <...> Это связано с высокими температурными градиентами, необходимыми для стабилизации диаметра растущего слитка, что приводит к высокому уровню термоупругих напряжений, а значит, и к высокой плотности дислокаций. <...> Кроме того, к возрастанию термоупругих напряжений приводит нали, чие изломов на кривых осевого распределения температур <...>