89–94 УДК 548.73+539.23 ИССЛЕДОВАНИЕ ОГРАНИЧЕНИЙ МЕТОДА РЕНТГЕНОВСКОЙ ДИФРАКТОМЕТРИИ ПРИ АНАЛИЗЕ ВХОЖДЕНИЯ АТОМОВ ТЕЛЛУРА В ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ GaAs © 2017 г. Ю. <...> Н.И. Лобачевского, 603950, Нижний Новгород, Россия 3Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119991 Москва, Россия *E-mail: drozdyu@ipmras.ru Поступила в редакцию 17.08.2016 г. радиусы атомов. <...> В настоящей работе методами HRXRD, SIMS и Холла исследована серия выращенных методом MOCVD сильно легированных теллуром эпитаксиальных слоев GaAs. <...> Показано, что, несмотря на высокую концентрацию атомов теллура в слое (1020–1021 см–3) и вариацию ростовых условий, сохраняется линейная связь между оценками концентрации по данным HRXRD и результатам элементного анализа методом SIMS. <...> Решетка GaAs расширяется даже несколько слабее, чем при замене атомов мышьяка на все введенные в слой атомы теллура. <...> В то же время холловская концентрация носителей резко уменьшается, начиная с атомной концентрации 2 Ч 1020 см–3. <...> Полученные результаты позволяют интерпретировать явление не как супердилатацию, а как сильную компенсацию носителей донорного и акцепторного типа. <...> DOI: 10.7868/S0207352817030064 ВВЕДЕНИЕ Метод рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения (HRXRD) широко используется при анализе гетероэпитаксиальных структур, так как является неразрушающим и высокоинформативным [1–3]. <...> В частности, концентрация твердых растворов замещения определяется по деформации решетки с использованием закона Вегарда, то есть в приближении линейной зависимости периода решетки кристалла (в отсутствиe упругой деформации) от концентрации твердого раствора. <...> Метод применяется и для оценки вхождения примесных атомов в решетку полупроводника при легировании гетеровалентной примесью. <...> Для этого методом HRXRD измерялась суммарная деформация решетки (сумма концентраций доноров и акцеп89 торов), а методом Холла – суммарная концентрация носителей электрического тока, которая дает разность концентраций доноров <...>