75–80 ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ УДК 621.382 О ЛОГИЧЕСКИХ СОСТОЯНИЯХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ТРАНЗИСТОРНО-ТРАНЗИСТОРНОЙ ЛОГИКИ В УСЛОВИЯХ ИМПУЛЬСНО-ПЕРИОДИЧЕСКОГО РЕЖИМА МОЩНОГО СВЕРХШИРОКОПОЛОСНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ © 2017 г. С. А. Мещеряков Государственный научно-исследовательский испытательный институт проблем технической защиты информации Федеральной службы по техническому и экспортному контролю Российская Федерация, 394026, Воронеж, ул. <...> 9 января, 280а E-mail: sam291074@yandex.ru Поступила в редакцию 03.02.2016 г. Приведены результаты численного моделирования характеристик логических состояний интегральных схем транзисторно-транзисторной логики для импульсно-периодического режима мощного сверхширокополосного воздействия. <...> Показано, что при импульсно-периодическом режиме воздействия в результате накопления тепловой энергии и внутреннего разогрева транзисторной структуры возникает “дрейф” логических уровней, способный привести к рискам статических и динамических сбоев интегральной схемы. <...> Даны количественные оценки изменения длительностей фронтов переключения логических состояний интегральных схем. <...> DOI: 10.7868/S0033849417010119 ВВЕДЕНИЕ В настоящее время интенсивно развиваются новые виды компактных и в то же время мощных генераторов импульсного электромагнитного излучения (ЭМИ). <...> При этом в первую очередь рассматривается возможность создания временного нарушения штатной работы электронных устройств в виде функционального сбоя, маскируемого под обычные неполадки [1–4]. <...> Для достижения функционального сбоя интегральных схем (ИС) распространенным режимом мощного импульсного воздействия является импульсно-периодический режим, представляющий собой последовательность импульсов или пачек импульсов с определенной частотой следования. <...> В этом режиме необходимая для сбоя энергия ЭМИ, приходящаяся на один импульс, значительно меньше энергии однократного импульса [5–7], а тепловые процессы в структурах <...>