12–16 ДИФРАКЦИЯ И РАССЕЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ УДК 538.911 ВОЗМОЖНОСТЬ ВЫЯВЛЕНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПОЛОЖЕНИЯ ОДИНОЧНЫХ ДИСЛОКАЦИЙ МЕТОДОМ ТОПО-ТОМОГРАФИИ НА ЛАБОРАТОРНЫХ УСТАНОВКАХ © 2017 г. Д. <...> Асадчиков1,2 E-mail: zolotovden@crys.ras.ru Поступила в редакцию 07.04.2016 г. Представлены результаты изучения пространственного расположения одиночных линейных дефектов в монокристалле Si, входная поверхность {111}, методом рентгеновской топо-томографии с использованием лабораторных рентгеновских источников. <...> Описаны методика проведения эксперимента и процедура восстановления 3D-изображения дислокационных полупетель вблизи поверхности кристалла Si. <...> Оценены размеры наблюдаемых линейных дефектов с пространственным разрешением порядка 10 мкм. <...> Дефекты структуры полупроводниковых материалов часто являются причиной ухудшения параметров и характеристик изготовленных на их основе изделий микроэлектроники. <...> В связи с этим одной из важнейших задач структурных исследований монокристаллов вообще и полупроводников в частности остается выявление несовершенства их реальной пространственной структуры. <...> Как известно, метод рентгеновской топографии является мощным инструментом для решения различных материаловедческих задач. <...> На рентгеновских топограммах можно различить единичные дислокации, границы блоков, включения примесей, дефекты упаковки [1]. <...> Вместе с тем применение метода рентгеновской топографии имеет определенные ограничения. <...> Во-первых, в лабораторных условиях с применением рентгеновских пленок время экспозиции для получения одного изображения может достигать десятков часов. <...> А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, Москва 2 Московский государственный университет им. <...> М.В. Ломоносова ние трехмерного кристалла является двумерным, что существенно осложняет рентгенодифракционный анализ структурных дефектов кристаллической решетки. <...> Если вращать кристалл вокруг оси, направленной вдоль вектора <...>