558–561 ФОТОХИМИЯ И МАГНЕТОХИМИЯ УДК 621.383 О МЕХАНИЗМЕ ВОЗНИКНОВНЕИЯ ФОТО-ЭДС НА КОНТАКТЕ ЖИДКИЙ КРИСТАЛЛ–МОНОКРИСТАЛЛ КРЕМНИЯ © 2017 г. К. М. Будагов, А. Г. Гусейнов, Б. Г. Пашаев Бакинский государственный университет E-mail: p.g.bakhtiyar@gmail.com Поступила в редакцию 12.02.2016 г. Исследовано воздействие света на контакт жидкий кристалл–монокристалл кремния при разной температуре поверхностного легирования кремния, а также с добавлением наночастицы BaTiO3 в состав жидкого кристалла. <...> Выяснен механизм образования фото-ЭДС в структуре жидкий кристалл–кремний. <...> Ключевые слова: фото-ЭДС, гальвани-потенциал, наночастицы, редокс-система DOI: 10.7868/S0044453717030050 Практическая значимость многослойных структур материалов в современной электронике включает в себя интерес к исследованию гетероструктур, в которых одним из компонентов является кремний. <...> Наряду с полупроводниковыми гетероструктурами представляет интерес так же исследование границы раздела жидкий кристалл (ЖК) – полупроводник, где в качестве полупроводника используются низкоомные промышленные монокристаллы кремния, характеризующиеся дешевизной, технологичностью и малой мощностью. <...> В работах [1, 2] показано, что при освещении контакта ЖК – кремний светом из области собственного поглощения кремния возникает фотоЭДС. <...> Было высказано мнение о том, что возникновение фото-ЭДС при этом связано со спрямлением энергетических зон кремния вблизи границы раздела, начальное искривление которых происходит вследствие захвата основных носителей тока поверхностными состояниями. <...> Последние, в частности, могут быт индуцированы молекулами жидкого кристалла подобно тому, как это имеет место на контакте полупроводник–электролит [3, 4]. <...> Проведенные исследования [1, 5] показывают, что контакт кремний – ЖК как и обычный полупроводниковый фотодиод, разделяет генерированные светом в полупроводнике электроннодырочные пары в результате чего возникает фотоЭДС. <...> В общем случае в образовании <...>