Элементная база электроники. Задачник (200,00 руб.)

БЯЛИК, А.В. КАМЕНСКАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ ЗАДАЧНИК Учебно-методическое пособие НОВОСИБИРСК 2016 1 УДК 621.38(076.1) Б 994 Рецензенты: канд. техн. наук, доцент И.Л. Новиков канд. техн. наук, доцент И.С. Савиных Бялик А.Д. <...> ISBN 978-5-7782-2948-8 Работа подготовлена на кафедре полупроводниковых приборов и микроэлектроники для студентов II курса факультета РЭФ и утверждена Редакционно-издательским советом университета в качестве учебно-методического пособия УДК 621.38(076.1) ISBN 978-5-7782-2948-8 2  Бялик А.Д., Каменская А.В. <...> 2016  Новосибирский государственный технический университет, 2016 СПИСОК ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ A – работа выхода C – электрическая емкость с – скорость света в вакууме D – коэффициент диффузии d – длина, расстояние E – напряженность электрического поля, энергия E C – энергетический уровень дна зоны проводимости E V – энергетический уровень потолка валентной зоны E i – энергетический уровень середины запрещенной зоны E F – энергетический уровень Ферми E g , ΔE – ширина запрещенной зоны F – площадь f S , 0 – частота, функция h – толщина, постоянная Планка I – электрический ток II – ток насыщения I G – ток термогенерации i – мгновенное значение тока J j – интенсивность излучения – плотность тока k L l – постоянная Больцмана – индуктивность, диффузионная длина носителей заряда L n – диффузионная длина электронов L p – диффузионная длина дырок – длина, расстояние m – масса m – эффективная масса * mn – эффективная масса электрона * mр – эффективная масса дырки 3 N – число частиц, концентрация легирующей примеси, N 0 – число Авогадро N V – эффективная плотность состояний в валентной зоне N C – эффективная плотность состояний в зоне проводимости N А – концентрация акцепторов N Д – концентрация доноров n – концентрация электронов, число витков, показатель преломления n 0 – равновесная концентрация электронов n i – собственная концентрация электронов nn 0 – равновесная концентрация <...>