Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635212)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Датчики и системы. Sensors & Systems  / №4 2015

РАЗРАБОТКА ГАЛЬВАНИЧЕСКИХ РАЗВЯЗОК НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУР СО СПИН-ВЕНТИЛЬНЫМ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫМ ЭФФЕКТОМ (150,00 руб.)

0   0
Первый авторБеляков Петр Александрович
АвторыКостюк Дмитрий, Абанин Иван, Амеличев Владимир, Орлов Евгений, Васильев Дмитрий, Касаткин Сергей, Муравьев Андрей, Крикунов Алексей, Шаманаев Сергей
Страниц5
ID581607
АннотацияРассмотрены основные конструктивно-технологические решения, применяемые в гальванических развязках (ГР) с гигантским магниторезистивным эффектом. Представлены результаты исследования спин-вентильных магниторезистивных (СВМР) наноструктур с антиферромагнитной пленкой (Ta—FeNiCo—CoFe—Cu—CoFe—FeNiCo—FeMn—Ta) для создания на их основе отечественных цифровых ГР. Получены магниторезистивные элементы на основе разработанных технологических процессов формирования наноструктур с величиной СВМР-эффекта 7—8 % при комнатной температуре
УДК537.618
РАЗРАБОТКА ГАЛЬВАНИЧЕСКИХ РАЗВЯЗОК НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУР СО СПИН-ВЕНТИЛЬНЫМ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫМ ЭФФЕКТОМ / П.А. Беляков [и др.] // Датчики и системы. Sensors & Systems .— 2015 .— №4 .— С. 34-38 .— URL: https://rucont.ru/efd/581607 (дата обращения: 10.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

КОНСТРУИРОВАНИЕ И ПРОИЗВОДСТВО ДАТЧИКОВ, ПPИБОPОВ И СИСТЕМ УДК 537.618 К содержанию РАЗРАБОТКА ГАЛЬВАНИЧЕСКИХ РАЗВЯЗОК НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУР СО СПИН-ВЕНТИЛЬНЫМ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫМ ЭФФЕКТОМ1 DEVELOPMENT OF GALVANIC IZOLATORS ON THE BASIS OF NANOSTRUCTURES FROM SPIN-VALVE MAGNETORESISTIVE EFFECT 1) Беляков Петр Александрович мл. научн. сотрудник  (499) 720-87-79 1) Костюк Дмитрий Валентинович ст. научн. сотрудник  (499) 720-87-79 2) Абанин Иван Евгеньевич зам. директора 2) Амеличев Владимир Викторович канд. техн. наук, нач. отдела  (499) 720-87-79 1) Орлов Евгений Павлович мл. научн. сотрудник  (499) 720-87-79 1) Васильев Дмитрий Вячеславович мл. научн. сотрудник  (499) 720-87-79 3) Касаткин Сергей Иванович д-р техн. наук, зав. лаборатории E-mail: serkasat@ipu.rssi.ru 3) Муравьев Андрей Михайлович канд. техн. наук, вед. научн. сотрудник  (495) 334-75-79 4) Крикунов Алексей Ильич канд. физ.-мат. наук, вед. научн. сотрудник  8-903-287-57-37 1) Шаманаев Сергей Владимирович ген. директор 1) Belyakov Petr A. Associate Scientist  (499) 720-87-79 1) Kostyuk Dmitriy V. <...> В. А. Трапезникова РАН, Москва 4) ООО “Фатран-Авто”, Москва Аннотация: Рассмотрены основные конструктивно-технологические решения, применяемые в гальванических развязках (ГР) с гигантским магниторезистивным эффектом. <...> Представлены результаты исследования спин-вентильных магниторезистивных (СВМР) наноструктур с антиферромагнитной пленкой (Ta—FeNiCoCoFe—Cu—CoFeFeNiCoFeMn—Ta) для создания на их основе отечественных цифровых ГР. <...> Получены магниторезистивные элементы на основе разработанных технологических процессов формирования наноструктур с величиной СВМР-эффекта 7—8 % при комнатной температуре. <...> Ключевые слова: гальваническая развязка; гигантский магниторезистивный эффект; спин-вентильный магниторезистивный эффект, цифровой сигнал. <...> ВВЕДЕНИЕ Гальваническая развязка (ГР) обеспечивает прохождения сигналов с минимальными искажениями при одновременном устранении влияния всевозможных наведенных потенциалов на различные элементы схемы. <...> Новый подход к созданию ГР нашла американская фирма <...>