Кафедре микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ — 50 лет УДК 621.3.049.77:551.521.64 КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ БИС ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ РАДИАЦИИ QUALITY CONTROL OF THE VLSIC FUNCTIONING WHEN EXPOSED TO RADIATION Барбашов Вячеслав Михайлович д-р техн. наук, профессор E-mail: vmbarbashov@mephi.ru Трушкин Николай Сергеевич доцент Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва кафедра микро- и наноэлектроники Аннотация: Рассмотрены методы функционально-логического моделирования БИС при воздействии радиации. <...> Показано, что и по функциональным, и по электрическим параметрам в ряде случаев возможны детерминированные и недетерминированные нарушения работоспособности БИС. <...> Предложены методы моделирования отказов БИС при воздействии радиации, основанные на модели нечеткого цифрового автомата Брауэра и вероятностного надежностного автомата. <...> Ключевые слова: радиационная стойкость, критериальная функция принадлежности, вероятность распределения, нечеткий цифровой автомат Брауэра. <...> ВВЕДЕНИЕ Реальный характер радиационного поведения сложной электронной системы определяется конкретным соотношением радиационно-чувствительных параметров ее элементов с учетом их статистического разброса. <...> Создание сложных систем на основе БИС, устойчивых к воздействию радиационных дестабилизирующих факторов, возможно только с активным использованием моделирования, обеспечивающего необходимую адекватность описания и точность расчетов. <...> Сопоставление функции распределения плотности вероятности разброса и критериальной функции принадлежности (КФП) является необходимым этапом общей процедуры анализа стойкости БИС и определяет, в конечном итоге, целесообразность использования функционально-логических моделей радиационного поведения БИС применительно к каждому конкретному случаю. <...> Следует отметить, что параметры функции распределения, характеризующие статистические процессы сами по себе являются зависимыми <...>