Кафедре микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ — 50 лет УДК 621.382.3:551.521.64 МОДЕЛЬ ВЛИЯНИЯ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ И ТЕМПЕРАТУРЫ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ МОП-ТРАНЗИСТОРА MODEL OF THE INFLUENCE OF RADIATION AND TEMPERATURE ON THE MOSFET CHARACTERISTICS Орешков Павел Николаевич аспирант Е-mail: oreshkovpavel@mail.ru Попов Виктор Дмитриевич д-р техн. наук, профессор E-mail: wdpopov@mail.ru Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва кафедра микро- и наноэлектроники Аннотация: Предложена модернизированная модель влияния ионизирующего излучения и температуры на характеристики р-канального МОП-транзистора, подтвержденная при анализе результатов модельного и натурного экспериментов. <...> Отмечена возможность применения исследованного МОП-транзистора как первичного преобразователя дозиметрического датчика. <...> ВВЕДЕНИЕ Космические лучи, состоящие, в основном, из потоков электронов и протонов радиационных поясов Земли и солнечного ветра, воздействуют на полупроводниковые приборы и интегральные схемы в бортовой аппаратуре космического аппарата на околоземных орбитах, приводят к ухудшению параметров полупроводниковых изделий и затем к их отказу. <...> Эффект деградации параметров изделий при длительном низкоинтенсивном (НИ) воздействии космических лучей значительно отличается от последствий кратковременного высокоинтенсивного облучения. <...> Поэтому большую актуальность приобретает прогноз радиационной стойкости при длительном НИ облучении этих изделий в условиях реального космоса через проведение моделирующих экспериментов. <...> В качестве источника моделирующего ионизирующего излучения НИ в настоящее время используется гамма-излучение изотопов Со60 или Cs137. <...> Достоинство этих источников — возможность получения НИ воздействия на облучаемые изделия электронной техники, тогда как при радиационных испытаниях на ускорителях протонов или электронов НИ воздействие в принципе невозможно. <...> Для сравнения эффектов деградации параметров <...>