УДК 621.3.049 ИССЛЕДОВАНИЕ СКОРОСТИ РАДИАЦИОННОЙ ДЕГРАДАЦИИ КРЕМНИЕВЫХ И SiGe БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ RADIATION DEGRADATION RATE INVESTIGATION OF SILICON AND HETEROJUNCTION SiGe BIPOLAR TRANSISTORS Фелицын Владислав Александрович инженер E-mail: VAFelitsyn@mephi.ru Бакеренков Александр Сергеевич канд. техн. наук, доцент E-mail: as_bakerenkov@list.ru Родин Александр Сергеевич аспирант E-mail: asrodin@mephi.ru Першенков Вячеслав Сергеевич д-р техн. наук, профессор, зав. кафедрой E-mail: vspershenkov@mephi.ru Мирошниченко Алина Георгиевна инженер E-mail: AGMiroshnichenko@mephi.ru Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва Аннотация: Проведено сравнение скорости радиационной деградации стандартных кремниевых и гетероструктурных биполярных SiGe-транзисторов. <...> Повышенная радиационная стойкость SiGe-приборов связана с наличием тонкого захороненного окисла над обедненной областью эмиттерного перехода. <...> Ключевые слова: поверхностные состояния, заряд в окисле, радиационная стойкость, гетероструктурные SiGe-транзисторы. <...> ВВЕДЕНИЕ В современных электронных системах применяются высокочастотные биполярные транзисторы, выполненные по кремний-германиевой технологии (SiGe HBT). <...> Данные приборы имеют ряд преимуществ в сравнении с кремниевыми транзисторами [1]. <...> Во-первых, внедрение в кристаллическую структуру кремния атомов германия, концентрация которых возрастает по мере продвижения от эмиттерного перехода к коллекторному, создает в базе ускоряющее электрическое поле, что способствует значительному повышению быстродействия транзистора. <...> (Tech.), Associate professor E-mail: as_bakerenkov@list.ru Rodin Alexander S. Postgraduate E-mail: asrodin@mephi.ru Pershenkov Viacheslav S. <...> (Tech.), Professor, Head of Department E-mail: vspershenkov@mephi.ru Miroshnichenko Alina G. Engineer E-mail: AGMiroshnichenko@mephi.ru National Research Nuclear University MEPhI, Moscow Abstract: The comparison of radiation degradation rate for conventional silicon and heterojunction bipolar SiGe-transistors was performed for X-ray radiation impact. <...> Keywords: interface traps, oxide charge, radiation hardness, heterojunction SiGe-transistors. ния вызывает локальное уменьшение ширины запрещенной зоны, в результате чего возрастает эффективность эмиттера и увеличивается коэффициент <...>