УДК 681.3.049.77:776.442 ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ЖИДКОСТНОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЭМС-СТРУКТУР FEATURES OF SILICON WET ETCHING FOR MEMS STRUCTURES MANUFACTURING TECHNOLOGY Веселов Денис Сергеевич канд. техн. наук, ассистент E-mail: Deonis86@inbox.ru Воронов Юрий Александрович канд. техн. наук, доцент E-mail: yavoronov@mephi.ru Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”, Москва Аннотация: Проведено исследование процессов глубокого анизотропного травления кремния в различных растворах органических щелочей. <...> Предложена альтернатива формированию толстых маскирующих слоев для сохранения ориентированности жидкостного травления. <...> Выработаны рекомендации по применению растворов для получения требуемого рельефа в кремниевых подложках в процессе изготовления МЭМС-структур. <...> Представлены технологические решения, направленные на стабилизацию концентрации растворов травителей и их температуры в процессе длительного анизотропного травления кремния. <...> Ключевые слова: МЭМС-структуры, анизотропное травление кремния, органические щелочи, стабилизация концентрации и температуры травителей. <...> Первыми изделиями, основанными на применении кремниевой МЭМС-технологии, были датчики давления. <...> Чувствительным элементом в них являются тензорезисторы, расположенные на тонкой кремниевой мембране. <...> Затем эти же технологические приемы были использованы при создании 26 Veselov Denis S. Ph. <...> (Tech.), Associate Professor E-mail: yavoronov@mephi.ru National Research Nuclear University MEPhI, Moscow Abstract: The study of deep anisotropic silicon etching in a variety of solutions of organic alkalis is done. <...> It offers an alternative form of thick masking layers to preserve orientation wet etching. <...> Recommendations are presented on the use of solutions to obtain the desired relief in the silicon substrates during the manufacture of MEMS structures. <...> Technological solutions, aimed stabilizing etchant concentration and temperature of solution during prolonged anisotropic etching of silicon are presented. <...> Keywords: MEMS structures, anisotropic etching of silicon, organic alkali, stabilization of concentration and etchant temperature. чувствительных элементов датчиков концентрации газов [3]. <...> Применение анизотропного травления позволяет получать изделия <...>