Силовая электроника, № 1’2017 Источники питания Изолированные DC/DC-преобразователи для питания IGBT и полевых транзисторов на SiC Тигран Гайказьян, к. т. н. <...> gt@ranet.ru Повышение надежности транзистора в силовой электронике Быстрые IGBT до сих пор были последним словом в области силовой электроники, сочетая в себе все лучшее от полевых и биполярных транзисторов. <...> Высоконадежные силовые ключи компании Semelab (слева) и высокотемпературные MOSFET от компании Cissoid (справа) карбида кремния (SiC) находят все более широкое применение в сложных условиях работы на повышенных частотах с одновременным снижением потерь на переключение и потерь проводимости. <...> Обе технологии нуждаются в правильном управлении для обеспечения продолжительной работы без ложных срабатываний (коммутаций). <...> Применение IGBT- (кремниевый БТИЗ) и SiC-транзисторов (карбидокремниевый МОПтранзистор) достаточно широко распространено в силовой электронике. <...> Коммутационные потери SiC-транзистора в четыре раза ниже потерь традиционного IGBT (рис. <...> Так как частота работы увеличена, масса и габариты пассивных компонентов (индуктивности, конденсаторы) могут быть снижены. <...> Поэтому, даже будучи более дорогим решением, SiCкомпоненты все чаще встречаются на рынке силовой электроники. <...> Предотвращение ложных срабатываний При построении схем и последующем выборе IGBT- или SiC-транзисторов разработчики зачастую слишком много времени уделяют информации из технической документации силовых ключей, пренебрегая корректной компоновкой схемы драйвера. <...> Но, как мы знаем, «дьявол кроется в деталях» — другими словами, паразитные компоненты не показаны в документации. <...> Для иллюстрации проблем, с которыми сталкиваются разработчики силовых схем в реальной жизни, рассмотрим следующую схему, где зеленым цветом обозначены паразитные емкости и индуктивности, оказывающие заметное влияние на режимы работы ключей (рис. <...> Оценка энергии динамических потерь (площадь под графиком) ключей IGBT и SiC <...>