Силовая электроника, № 1’2017 Силовая элементная база Вопросы управления IGBT: однополярное управление, использование внешней емкости затвора Вопросы управления изолированным затвором IGBT широко описаны в различных публикациях, в частности [3–5]. <...> Одной из основных задач производителей электроприводов, инверторов солнечных батарей, источников питания и UPS является снижение стоимости и габаритов выпускаемых изделий. <...> По этой причине в диапазоне малых мощностей часто используется однополярный сигнал управления с нулевым напряжением выключения IGBT (VG_off = 0). <...> В данной статье мы проанализируем связанные с этим проблемы, а также рассмотрим преимущества и недостатки использования дополнительной емкости затвора. <...> Никлас Хофштёттер (Niklas Hofsto .tter) Петер Бекедаль (Peter Beckedahl) Перевод и комментарии: Андрей Колпаков Andrey.Kolpakov@semikron.com Проблемы однополярного контроля IGBT При использовании однополярного сигнала на затворе IGBT уменьшается «зазор» между нулевым напряжением выключения, формируемым драйвером (VGoff = 0), и пороговым уровнем открывания транзистора VGE(th), при котором он начинает переходить в проводящее состояние. <...> Типовое справочное значение VGE(th) находится в диапазоне 5–6,5 В при температуре кристалла Tj = +25 °C. <...> По мере нагрева чипа порог отпирания IGBT увеличивается на несколько мВ/К. <...> При малой разнице между VGE(th) и VGoff возрастает риск ложного включения IGBT, которое может быть вызвано эффектом Миллера или влиянием паразитной индуктивности в цепи эмиттера. <...> Следствием ложного срабатывания IGBT является возникновению сквозного тока и генерация дополнительных потерь, в худшем случае это может привести к выходу транзисторов из строя. <...> Следует также учитывать тот факт, что при униполярном способе управления меняется время задержки переключения IGBT и (в зависимости от поколения и технологии изготовления транзистора) уровень динамических потерь. <...> Паразитные индуктивности Наличие распределенных индуктивностей в цепях <...>