Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635165)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Прикладная физика  / №6 2016

Влияние атомов Nd и гамма-облучения на фотолюминесценцию монокристалла GeS (100,00 руб.)

0   0
Первый авторМадатов
АвторыАлекперов А.С., Гасанов О.М., Сафаров Дж.М.
Страниц5
ID561319
АннотацияИсследованы спектры фотолюминесценции слоистых монокристаллов Ge1-хNdхS (х = 0,005; 0,01) в широком температурном интервале (80300 К). Изучены влияние атомов Nd в разных концентрациях на спектр фотолюминесценции монокристалла GeS. Проанализированы результаты изменений интенсивности f–f-излучений после гамма-облучения дозами 30 и 100 крад. Найден оптимальный состав и режим облучения для увеличения интенсивности линий Nd в спектре фотолюминесценции монокристалла GeS.
УДК621.315.592
Влияние атомов Nd и гамма-облучения на фотолюминесценцию монокристалла GeS / Р.С. Мадатов [и др.] // Прикладная физика .— 2016 .— №6 .— С. 98-102 .— URL: https://rucont.ru/efd/561319 (дата обращения: 07.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Прикладная физика, 2016, № 6 МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ УДК 621.315.592 Влияние атомов Nd и гамма-облучения на фотолюминесценцию монокристалла GeS Р. С. <...> Сафаров Исследованы спектры фотолюминесценции слоистых монокристаллов Ge1-хNdхS (х = 0,005; 0,01) в широком температурном интервале (80 300 К). <...> Изучены влияние атомов Nd в разных концентрациях на спектр фотолюминесценции монокристалла GeS. <...> Проанализированы результаты изменений интенсивности f–f-излучений после гамма-облучения дозами 30 и 100 крад. <...> Найден оптимальный состав и режим облучения для увеличения интенсивности линий Nd в спектре фотолюминесценции монокристалла GeS. <...> +W,76.30Kg,78.20,79.60.-i Ключевые слова: фотолюминесценция, редкоземельный элемент, гамма-облучение, внутрицентровые переходы, спин-орбитальное расщепление, атомные кластеры, рекомбинационные центры. <...> Введение Повышенный интерес к слоистым монокристаллам GeS обусловлен возможностями использования их в качестве среды для записи голограмм [1] в устройствах электрической памяти [2, 3], а также для создания на их основе фотоэлектрических датчиков наведения солнечных батарей на Солнце [4]. <...> Уникальное устройство из моносульфида германия, по форме напоминающее цветок, подходит в качестве сырья при производстве солнечных панелей и суперконденсаторов [5]. <...> Кристаллический GeS является прямозонным материалом, что благоприятствует получению эффективной межзонной излучательной рекомбинации. <...> E-mail: aydin60@inbox.ru, 1959oktay@mail.ru Статья поступила в редакцию 14 июля 2016 г. © Мадатов Р. С., Алекперов А. С., Гасанов О. М., Сафаров Д. М., 2016 щих структур на кристаллах заключается в введении в него редкоземельного элемента (РЗЭ). <...> Анализ проведенных многочисленных исследований показывает, что при облучении малыми дозами (до 106 рад) улучшаются физические, в т.ч. рекомбинационные свойства полупроводниковых материалов, приборов и структур [6]. <...> Цель настоящей работы заключается в исследовании влияния примесных атомов Nd и гамма-излучения на спектр фотолюминесценции <...>