УДК 539.219.1 РАСЧЕТНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕРМОДЕСОРБЦИИ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОГО ВОДОРОДА В ВОЛЬФРАМЕ С. С. <...> Ярко, И. В. Цветков, А. А. Писарев Московский инженерно-физический институт, Москва, Россия, yarkos@mail.ru Анализируется влияние различных факторов на форму и положение пика термодесорбции. <...> Расчеты выполнены на примере десорбции водорода из вольфрама. <...> Показано влияние формы профиля торможения ионов, толщины образца, начальной концентрации водорода, энергии связи с ловушками и также энергии активации рекомбинации. <...> Продемонстрировано, что модель десорбции 1-го порядка применима в области очень малых концентраций ловушек. <...> Измерение десорбционного потока в процессе равномерного нагрева образца с внедренным водородом дает информацию о параметрах, характеризующих удержание водорода в металле. <...> Анализ термодесорбционных спектров с использованием простейших моделей был впервые предпринят в ряде работ [1, 2, 3, 4]. <...> Предполагалось, что термодесорбция описывается либо обычным уравнением диффузии, либо уравнениями десорбции первого или второго порядка. <...> Поскольку в последнее время проводится много экспериментальных работ с вольфрамом, представляет интерес проанализировать термодесорбционные спектры для вольфрама более подробно. <...> В данной работе вводится понятие локального равновесия между дефектами и раствором [15, 16, 17] и рассматривается влияние профиля торможения ионов, скоростей диффузии и рекомбинации на поверхности при различных энергиях связи с дефектами, а также применимость подходов десорбции первого порядка при описании термодесорбции из дефектов. <...> Модель Для моделирования термодесорбционного эксперимента использовалась одномерная задача диффузии в поле дефектов ∂∂ ∂=−∂tt nn nt 2 D ∂x2 ∂ , (1) где n – концентрация подвижного, растворенного в междоузлиях водорода, n t – концентрация водорода, захваченного в дефекты, и ()0 expDD d /E kT=− – коэффициент диффузии. <...> Для концентрации захваченного водорода <...>