Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
Том 22 № 5
Учредитель:
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Чаплыгин Ю.А., академик РАН,
д.т.н., проф.
Зам. главного редактора
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Бахтин А.А., канд. т. н., доц.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.х.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Красников Г.Я., акад. РАН,
д.т.н., проф.
СОДЕРЖАНИЕ
Фундаментальные исследования
Мороча А.К., Рожков А.С. Перенос электронов попеКубарев
Ю.В., д.ф.-м.н., проф.
Лабунов В.А., акад. НАН Беларуси,
иностр. чл.. РАН, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении,
д.т.н., проф.
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Сауров А.Н., акад. РАН, д.т.н., проф.
Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф.
Сигов А.С., акад. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тимошенков С.П., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
речной акустоэлектрической волной типа Стоунли. ......... 413
Элементы интегральной электроники
Юсипова Ю.А. Анализ характеристик переключения
ячеек памяти MRAM на основе материалов с одноосной
анизотропией ......................................................................... 421
Королёв М.А., Козлов А.В., Красюков А.Ю.,
Девликанова С.С. Влияние концентрации примеси в
пленке кремния на магниточувствительность КНИ полевых
датчиков Холла .............................................................. 433
Соловьев А.В., Крупкина Т.Ю., Лагун А.М. Использование
системы TCAD для разработки маршрута изготовления
комплементарных биполярных транзисторов в
составе ОУ ............................................................................. 440
Схемотехника и проектирование
Смолин А.А., Боруздина А.Б., Уланова А.В.,
Яненко А.В., Согоян А.В., Никифоров А.Ю.,
Телец В.А., Чумаков А.И., Шелепин Н.А. Схемотехническое
моделирование одиночных эффектов при воздействии
тяжелых заряженных частиц в КМОП СБИС
с суб-100-нм проектными нормами ..................................... 447
Груздов В.В., Енишерлова К.Л., Колковский Ю.В.,
© “Известия вузов.
Электроника”, 2017
© МИЭТ, 2017
Давыдов Н.В., Капилин С.А. Влияние параметров барьеров
Шоттки AlGaN/GaN/SiC НЕМТ-транзисторов на
фазовые шумы СВЧ-генераторов ........................................ 460
2017 сентябрь–октябрь
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.3
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Информационно-коммуникационные технологии
Беляев И.В., Федоров А.Р., Гагарина Л.Г. Применение
Редактор
А.В. Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
И.В. Проскурякова
Верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498, Россия
г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
http://www.ivuz-e.ru
Адрес издателя: 124498, Россия,
г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ.
Адрес полиграфического предприятия:
124498, Россия, г. Москва,
г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1,
МИЭТ.
Подписано в печать 09.10.2017.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 11,16 усл.печ.л.,
10,032 уч.-изд.л.
Тираж 150 экз.
Заказ 15.
Свободная цена.
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень рецензируемых
научных изданий, в которых
должны быть опубликованы основные
научные результаты диссертаций
на соискание ученой степени кандидата
наук, на соискание ученой степени
доктора наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования и в Рейтинг
Science Index.
Включен в Russian Science Citation
Index на платформе Web of Science.
Является членом Cross Ref.
генетического алгоритма для повышения качества работы
поисковых систем ........................................................... 471
Акиншин Н.С., Румянцев В.Л., Акиншин О.Н. Экспериментальная
оценка информативности поляризационно-модулированных
сигналов ............................................. 478
Краткие сообщения
Козлов В.А., Чистюхин В.В. Аналитическое решение
для подавления уровня интегральных боковых лепестков
АКФ псевдослучайных последовательностей в РСА 487
Попов В.Д. Образование дефектов поверхности
КМОП-структуры при облучении гамма-лучами и при
повышенной температуре .................................................... 491
Минаков Е.И., Калистратов Д.С. Применение векторных
полей для анализа и прогнозирования движения
в цифровых динамических видеоизображениях ............... 494
Дуюнов Е.Д., Дуюнов Д.А., Теплова Я.О. Снижение
торсионных вибраций в приводах установок для выращивания
кремния ................................................................. 499
К сведению авторов ............................................................ 503
410
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 5 2017
Стр.4
Proceedings of Universities.
ELECTRONICS
Volume 22 No. 5
Founder:
The National
Research University
of Electronic Technology
Editor-in-Chief
Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Acad. RAS
Deputy Editor-in-Chief
Gavrilov S.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof.
Editorial Board:
Barhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Bakhtin A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof.
Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Labunov V.A. (Belorussia),
Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. NAS, For. memb. of the RAS
Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof.
of Lund University
Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. NAS
Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Petrosyants K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Sazonov A.Yu. (Canada), PhD,
Prof. of University of Waterloo
Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.,
Acad. RAS
Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
CONTENTS
Fundamental researches
Morocha A.K., Roshkov A.S. Transport of Electrons by
Acoustoelectric Wave of Stonely Type. .................................. 413
Integrated electronics elements
Iusipova Iu.А. Analysis of Switching Characteristics of
MRAM Cells Based on Materials with Uniaxial Anisotropy . 421
Korolev M.A., Kozlov A.V., Krasukov A.Y.,
Devlikanova S.S. Influence of Doping Concentration in Silicon
Film on Magnetic Sensitivity of SOI Field-Effect Hall
Sensors .................................................................................... 433
Solov'ev A.V., Krupkina T.U., Lagun A.M. Using TCAD
System for Development of Manufacture Route of Complimentary
Bipolar Transistors as a Part of OD Devices............. 440
Circuit engineering and design
Smolin A.A., Boruzdina A.B., Ulanova A.V.,
Yanenko A.V., Sogoyan A.V., Nikiforof A.Y., Telets V.A.,
Chumakov A.I., Shelepin N.A. Circuit Engineering Modeling
of Single Event Effects under Impact of Heavy-Charged
Particles in SUB-100 NM CMOS ICs .................................... 447
Gruzdov V.V., Enisherlova K.L., Kolkovsky Y.V.,
© “Proceedings of Universities.
Electronics”, 2017
© MIET, 2017
Davidov N.V., Kapilin S.A. Influence of AlGaN/GaN/SiC
Parameters of HEMPT-Transistors on Microwave Generators
Phase Noises .................................................................... 460
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 5 2017
411
2017 September–October
The scientific-technical journal
Published since 1996
Published 6 times per year
Стр.5
Head of editorial staff
Zvereva S.G.
Information-communication technologies
Belyaev I.V., Fedorov A.R., Gagarina L.G. Use of Genetic
Chief editors
Tikhonova A.V.,
Proskuryakova I.V.
Make-up
Ryzhkov S.Yu.
Ryzhkov A.Yu.
Editorial Board’s address:
124498, Russia, Moscow,
Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square,
MIET, editorial office of the Journal
«Proceedings of Universities. Electronics»
Tel.: +7-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
http://www.ivuz-e.ru
Publisher’s address:
124498, Russia, Moscow,
Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square,
MIET
Printery address:
124498, Russia, Moscow,
Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square,
MIET
Signed to print 09.10.2017.
Sheet size 6084 1/8.
Digital printing.
Conventional printed sheets 11,16.
Number of copies 150.
Order no. 15.
Free price.
The journal is printed at the printing
workshop of the MIET
124498, Russia, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET
The registration certificate No.014134
was given by RF Press Committee
on 12.10.95.
The journal is included into the List
of reviewed scientific publications,
in which the main scientific results
of thesis for candidate of science and
doctor degrees must be published.
The journal is included into the Russian
index of scientific citing and into the
Rating Science Index.
The journal is included into the Russian
Science Citation Index on the Web
of Science basis.
Is the member of Cross Ref.
Algorithms for Enhancing Efficiency of Search Systems ...... 471
Akinshin N.S., Rumiantsev V.L., Akinshin O.N. Experimental
Evaluation of Information Content of Polarization
Parameters .............................................................................. 478
Brief reports
Kozlov V.A., Chistyuhin V.V. An Analytic Solution to
Suppress Level of ACF Integral Sidelobes of PseudoRandom
Sequences in SAR ................................................... 487
Popov V.D. Formation of CMOS-Structure Surface Defects
under Irradiation by Gamma-Rays and at Higher Temperature
.................................................................................. 491
Minakov E.I., Kalistratov D.S. Application of Vector
Fields for Analysis and Motion Compensation Prediction in
Dynamic Digital Video Images .............................................. 494
Duyunov E.D., Duyunov D.A., Teplova Ya.O. Reducing
Torsional Vibrations in Silicon Growing Facilities Drives .... 499
412
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 5 2017
Стр.6