Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
Том 22 № 4
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Чаплыгин Ю.А., академик РАН,
д.т.н., проф.
Зам. главного редактора
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Бахтин А.А., канд. т. н., доц.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.х.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Красников Г.Я., акад. РАН,
д.т.н., проф.
Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф.
Лабунов В.А., акад. НАН Беларуси,
акад. РАН, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении,
д.т.н., проф.
СОДЕРЖАНИЕ
Технологические процессы и маршруты
Белов А.Н., Перевалов А.А., Шевяков В.И. Мемристорные
структуры для микро- и наноэлектроники. Физика
и технология. Обзор. .................................................... 305
Вигдорович Е.Н. Механизм формирования квантоворазмерных
слоев гетероструктур AlGaN/GaN/InGaN/GaN ... 322
Волоховский А.Д., Герасименко Н.Н., Петраков Д.С.
Применение комбинированных оптических методов для
контроля процесса травления щелевой изоляции .............. 331
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Сауров А.Н., акад. РАН, д.т.н., проф.
Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф.
Сигов А.С., акад. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тимошенков С.П., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
Рябышенков А.С. Термодинамический анализ процесса
воздухоподготовки чистых помещений ......................... 341
Элементы интегральной электроники
Сергеев В.А., Тетенькин Я.Г. Оценка адекватности тепловой
модели КМОП цифровых интегральных схем по
переходным тепловым характеристикам ............................ 350
Кононов В.С., Шелепин Н.А. Повышение эффективности
моделирования переходных процессов в КМОПмикросхемах
с учетом одиночных радиационных эффектов
.................................................................................... 361
Схемотехника и проектирование
Гаврилов С.В., Карева Е.С., Рыжова Д.И. Алгоритмы
© “Известия вузов.
Электроника”, 2017
© МИЭТ, 2017
логико-топологического синтеза библиотечных элементов
и блоков с регулярной структурой для технологических
норм проектирования 32 нм .......................................... 369
2017 июль–август
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.2
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Булах Д.А., Казённов Г.Г., Лапин А.В. Использование
Редактор
А.В. Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
И.В. Проскурякова
Верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498, Россия
г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Подписано в печать 31.07.2017.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 12,6 усл.печ.л.,
11,136 уч.-изд.л.
Тираж 150 экз.
Заказ 14.
Свободная цена.
Отпечатано
в типографии ИПК МИЭТ
124498, Россия, г. Москва,
г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень рецензируемых
научных изданий, в которых
должны быть опубликованы основные
научные результаты диссертаций
на соискание ученой степени кандидата
наук, на соискание ученой степени
доктора наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования и в Рейтинг
Science Index.
Включен в Russian Science Citation
Index на платформе Web of Science.
модификации алгоритма работы сетей Петри для функционального
моделирования логических схем, представленных
на вентильном уровне ........................................... 379
Микро- и наносистемная техника
Аунг Тхура, Симонов Б.М., Тимошенков С.П. Влияние
параметров конструкции актюаторов на чувствительность
частотных микроакселерометров ............................ 386
Краткие сообщения
Кондратьев П.К. Методика регулирования концентрации
углеродных нанотрубок при формировании композитной
металлизации ИС .................................................... 398
Тимошенков В.П., Фатеев И.А. DICE КМОП КНИтриггер,
устойчивый к воздействию тяжелых заряженных
частиц для применения в приемных трактах ............ 402
К сведению авторов ............................................................ 407
302
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 4 2017
Стр.3
Proceedings of Universities.
ELECTRONICS
Founders:
The Ministry
of Education and Science
of the Russian Federation
The National
Research University
of Electronic Technology
Editor-in-Chief
Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Acad. RAS
Deputy Editor-in-Chief
Gavrilov S.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof.
Editorial Board:
Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof.
Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Labunov V.A. (Belorussia),
Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. NAS, Acad. RAS
Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof.
of Lund University
Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. NAS
Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Sazonov A.Yu. (Canada), PhD,
Prof. of University of Waterloo
Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.,
Acad. RAS
Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
CONTENTS
Technological processes and routes
Belov A.N., Perevalov A.A., Shevyakov V.I. PhysicsTechnological
Fabrication of Memresistors for Micro- and
Nanoelectronics. Review. ......................................................... 305
Vigdorovich E.N. Mechanism of Forming of QuantumSize
Layers of AlGaN/GaN/InGaN/GaN Layers .................... 322
Volokhovskiy A.D., Gerasimenko N.N., Petrakov D.S.
Application of Optical Combined Methods to Control of
Shallow Etching Process ......................................................... 331
Ryabyshenkov A.S. Thermodynamic Analysis of Process
of Clean Rooms Air Handling ................................................ 341
Integrated electronics elements
Sergeev V.A., Tetenkin Ya.G. Assessment of Adequacy of
the СMOS Linear Thermal Model of Digital Integrated Circuits
on Transient Thermal Characteristics ............................. 350
Kononov V.S., Shelepin N.A. An Increase of Efficiency in
Modeling Transient Processes in CMOS-Microchips Considering
Single Radiation Effects ............................................ 361
Circuit engineering and design
Gavrilov S.V., Kareva E.S., Ryzhova D.I. Algorithms of
© “Proceedings of Universities.
Electronics”, 2017
© MIET, 2017
Logical and Physical Synthesis of Library Elements with
Regular Structure for Design Rules 32 nm ............................. 369
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 4 2017
303
Volume 22 No. 4
2017 July–August
The scientific-technical journal
Published since 1996
Published 6 times per year
Стр.4
Head of editorial staff
Zvereva S.G.
Bulakh D.A., Kazennov G.G., Lapin A.V. Use of ModifiChief
editors
Tikhonova A.V.,
Proskuryakova I.V.
Make-up
Ryzhkov S.Yu.
Ryzhkov A.Yu.
Address: 124498, Russia, Moscow,
Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square,
MIET, editorial office of the Journal
«Proceedings of Universities. Electronics»
Tel.: +7-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Signed to print 31.07.2017.
Sheet size 6084 1/8.
Digital printing.
Conventional printed sheets 12,6.
Number of copies 150.
Order no. 14.
Free price.
The journal is printed at the printing
workshop of the MIET
124498, Russia, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET
The registration certificate No.014134
was given by RF Press Committee
on 12.10.95.
The journal is included into the List
of reviewed scientific publications,
in which the main scientific results
of thesis for candidate of science and
doctor degrees must be published.
The journal is included into the Russian
index of scientific citing and into the
Rating Science Index.
The journal is included into the Russian
Science Citation Index on the Web
of Science basis.
cation of Petri Nets Operation Algorithm for Functional
Simulation of Gate Level Digital Circuits ............................. 379
Micro- and nanosystem technology
Aung Thura, Simonov В.М., Timoshenkov S.P. Influence
of Parameters of Actuators Constructions on Sensitivity of
Frequency Microaccelerometers ........................................... 386
Brief reports
Kondratiev P.K. Controlling of Carbon Nanotubes Concentration
in VLSI Metallization Based on Metal Matrix – CNT
Composite Conductors .......................................................... 398
Timoshenkov V.Р., Fateev I.А. DICE Flip Flop Trigger
Tolerant to Effect of Heavy Charged Particles ...................... 402
304
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 4 2017
Стр.5