УДК 541.135.5:138.2 КРИТИЧЕСКИЙ ПОТЕНЦИАЛ РАЗВИТИЯ ПОВЕРХНОСТИ И ГЕТЕРОГЕННАЯ НУКЛЕАЦИЯ ПРИ АНОДНОМ СЕЛЕКТИВНОМ РАСТВОРЕНИИ ГОМОГЕННЫХ СПЛАВОВ. <...> Козадеров Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 23.12.11 Аннотация. <...> Получены диагностические критерии для выявления кинетических ограничений селективного анодного растворения электроотрицательного компонента А из А,В-сплава по данным о критических потенциале и перенапряжении развития поверхности. <...> Предложена процедура определения скорости гетерогенной нуклеации электроположительного компонента В при избирательном растворении бинарных гомогенных сплавов при закритических анодных потенциалах. <...> Ключевые слова: фазовые превращения, селективное растворение сплавов, гетерогенная нуклеация, развитие поверхности. <...> The diagnostic criteria for the identification of kinetic limitations of selective anodic dissolution of an electronegative component A from A,B-alloy using the data on critical potential and overpotential of the surface development are obtained. <...> The procedure of determining the rate of heterogeneous nucleation of an electropositive component in the selective dissolution of binary homogeneous alloy under supercritical anodic potentials is proposed. <...> Keywords: phase transformation, selective dissolution of alloys, heterogeneous nucleation, surface development. <...> ВВЕДЕНИЕ Селективное растворение (СР) гомогенного металлического А,В-сплава, в ходе которого ионизируется и переходит в раствор только электроотрицательный компонент А, при определенных условиях приводит к формированию морфологически развитого поверхностного слоя [1—17]. <...> С одной стороны, процесс приводит к снижению коррозионной и механической стойкости сплава, так как способствует проникновению электролита к нижележащим слоям сплава и дальнейшему длительному вытравливанию металла A. <...> Началу развития поверхности А,В-сплава, селективно растворяющегося в активном состоянии с образованием растворимых продуктов, на анодной поляризационной кривой отвечает критический потенциал Екр [1—3, 22], при котором I,Eзависимость претерпевает резкий переход из низкотокового в высокотоковый участок. <...> Аналогичный © Козадеров <...>