Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634794)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика  / №1 2012

ЭКСТРАКЦИЯ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛЕЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА (90,00 руб.)

0   0
Первый авторАверина
АвторыБессонов Д.А., Рыбалкин Р.А., Аверина Е.В.
Страниц8
ID522370
АннотацияРассмотрена и модифицирована методика прямого определения значений элементов эквивалентной схемы полевого СВЧ транзистора с высокой подвижностью электронов на основе экспериментально измеренных S-параметров. Предложен усовершенствованный алгоритм экстракции параметров эмпирических моделей данного транзистора
УДК621.382.029.6
ЭКСТРАКЦИЯ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛЕЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА / Л.И. Аверина [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2012 .— №1 .— С. 4-11 .— URL: https://rucont.ru/efd/522370 (дата обращения: 26.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

ФИЗИКА УДК 621.382.029.6 ЭКСТРАКЦИЯ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛЕЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРНОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА Л. И. <...> Аверина, Д. А. Бессонов, Р. А. Рыбалкин, Е. В. Аверина Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 05.03.2012 г. Аннотация. <...> Рассмотрена и модифицирована методика прямого определения значений элементов эквивалентной схемы полевого СВЧ транзистора с высокой подвижностью электронов на основе экспериментально измеренных S-параметров. <...> Предложен усовершенствованный алгоритм экстракции параметров эмпирических моделей данного транзистора. <...> The direct method of defi nition elements for microwave HEMT’s equivalent circuit, using the measured S-parameters were researched and modifi ed. <...> ВВЕДЕНИЕ В настоящее время при проектировании радиоэлектронных устройств и создании монолитных интегральных схем широко применяются автоматизированные системы проектирования (САПР). <...> Как известно, проектирование СВЧ-устройств осуществляется с помощью моделей активных элементов (транзисторов, диодов), описывающих их характеристики в широком диапазоне частот и рабочих режимов. <...> Модель полупроводникового компонента представляет собой эквивалентную схему, для которой необходимо задать значения линейных элементов и выбрать эмпирическую зависимость и задать ее параметры для нелинейных элементов. <...> К сожалению, производители полупроводниковых приборов достаточно редко приводят значения параметров для какой-либо модели, позволяющей описывать данный транзистор. <...> Поэтому выбор модели, правильно отражающей поведение конкретного транзистора, как © Аверина Л. И., Бессонов Д. А., Рыбалкин Р. А., Аверина Е. В., 2012 в линейном, так и в нелинейном режимах, а также корректное определение параметров этой модели являются отдельной, достаточно сложной задачей. <...> Большинство моделей СВЧ полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) имеют идентичную линейную часть, а отличаются лишь способом математического описания нелинейных элементов. <...> На первом этапе проводится линейный <...>