УДК 531.992 ВЛИЯНИЕ НА КИНЕТИКУ ПЕРЕЗАРЯДКИ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ ПРОЦЕССОВ ОБМЕНА НОСИТЕЛЯМИ ЗАРЯДА МЕЖДУ НИМИ И ОБЕИМИ РАЗРЕШЕННЫМИ ЗОНАМИ А. В. <...> Буданов* * *** , Е. А. Татохин* , Е. В. Руднев** , М. Е. Семёнов*** Воронежская государственная технологическая академия ** Воронежский государственный университет Воронежский государственный технический университет Поступила в редакцию 22.12.08 Аннотация. <...> В работе построена модель неавтономной динамической системы, описывающая перезарядку глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводника при учете процессов обмена носителями заряда между двумя уровнями и обеими разрешенными зонами. <...> На первой стадии, когда степень ионизации глубоких уровней не достигает 100 %, множество фазовых траекторий процесса, образует мультифрактальную структуру с размерностью Хаусдорфа—Бизиковича D0 размерностью D1 = 1 223, ª 0 03342, и информационной . <...> Вторая стадия характеризуется тем, что при достижении степени ионизации глубоких уровней 100 % процесс перезарядки глубоких уровней становится хаотическим. <...> Ключевые слова: релаксационная спектроскопия глубоких уровней, неавтономные динамические системы, фракталы. <...> At the first stage when the deep levels degree of ionization is less then 100% the phase trajectory set forms a multifractal structure with Hausdorff dimension D0 D1 = 1 223, ª 0 03342, and information dimension . <...> Keywords: deep level transient spectroscopy, non-autonomous dynamic systems, fractals ВВЕДЕНИЕ В настоящее время для определения параметров глубоких уровней (ГУ) в запрещенной зоне полупроводников используются методы релаксационной спектроскопии, в частности, нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней (DLTS), термостимулированная емкость, изотермическая релаксация емкости [1—3]. <...> Эти методы основаны на измерении кинетики перезарядки ГУ в слое объемного заряда (СОЗ) при обратном смещении на диоде. <...> Для определения параметров ГУ традиционно полагается, что превалирующим является процесс теплового выброса свободных носителей заряда с уровня в разрешенную зону. <...> Интен© Буданов А. В., Татохин <...>