УДК 621.315.592 ЕМКОСТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ ПРИ ОБМЕНЕ НОСИТЕЛЯМИ ЗАРЯДА МЕЖДУ УРОВНЯМИ И ОБЕИМИ РАЗРЕШЕННЫМИ ЗОНАМИ Е. А. <...> Татохин, А. В. Буданов, И. Ю. Бутусов, Л. В. Васильева, Е. А. Тутов* Воронежская государственная технологическая академия Воронежский государственный университет* Поступила в редакцию 19.06.2008 г. Аннотация. <...> Предложена модель кинетика перезарядки глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводника, учитывающая процессы обмена носителями заряда между глубокими уровнями и обеими разрешенными зонами, которая адекватно описывает неэкспоненциальный характер релаксации емкости. <...> Разработан метод определения спектра глубоких электронных состояний, обладающий большей точностью и разрешающей способностью по сравнению с традиционными методами, использующими приближение времени релаксации. <...> Ключевые слова: глубокие уровни; релаксационная спектроскопия глубоких уровней; кинетика ионизации глубоких уровней; алгоритм имитации отжига. <...> ВВЕДЕНИЕ В настоящее время для определения спектра глубоких энергетических состояний в запрещенной зоне полупроводника широко используется емкостная релаксационная спектроскопия, в частности, нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней (НСГУ или DLTS) [1—3]. <...> Эти методы основаны на измерении кинетики перезарядки глубоких уровней (ГУ) в слое объемного заряда (СОЗ) при обратном смещении на диоде. <...> При этом полагалось, что определяющим является процесс теплового выброса свободных носителей заряда с ГУ в разрешенную зону при отсутствии термической генерации носителей заряда из одной разрешенной зоны в другую через ГУ. <...> Поэтому для анализа температурных зависимостей DLTS-сигнала (DCT ()) можно использовать приближение времени релаксации. <...> Однако сигналы релаксации емкости зачастую имеют неэкспоненциальный характер. <...> 1, а), а с другой к значительному размытию аррениусовских зависимостей (рис. <...> Такая ситуация приводит к значительным методологическим <...>