Математика, 2005, ¹1 УДК 621.382.33 МЕТОДИКИ РАСЧЕТА ИНДУКТИВНОСТЕЙ МОЩНЫХ БАЛАНСНЫХ ВЧ И СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРОВ Б. К. <...> Петров, О. М. Булгаков, И. В. Семейкин Воронежский государственный университет Воронежский институт МВД России ФГУП «НИИ Электронной техники», г. Воронеж Представлены методики расчетов эквивалентных индуктивностей затвора, стока и истока мощных балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов. <...> Показано, что в отличие от биполярных транзисторов, в МОП транзисторах эквивалентные индуктивности определяются исключительно геометрией монтажных элементов и не зависят от характеристик транзисторных кристаллов. <...> ВВЕДЕНИЕ ниям активных составляющих входных импедансов ( Благодаря относительно большим значеRe{ } 1ZE > Ом) при выходной 2 мощности выхP ≥ Вт, а также устойчи100 вости к шнурованию тока из-за отсутствию положительной обратной связи по теплу, мощные МОП транзисторы существенно потеснили биполярные транзисторы в усилителях мощности ВЧ и СВЧ диапазонов. <...> Однако, как и для биполярных транзисторов, для мощных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов актуальной проблемой проектирования остается расчет эквивалентных индуктивностей, которые в силу малости своих значений (<0,5 нГн) и зависимости от амплитудно-фазовых соотношений между токами в рабочем режиме, не могут быть с необходимой точностью измерены экспериментально на этапе макетирования приборов. <...> Сходство геометрии монтажно-соединительных элементов позволяет использовать для расчета индуктивностей стока, истока и затвора те же подходы, что и для расчета индуктивностей эквивалентных схем биполярных транзисторов [13]. <...> 1 схематично показан мощный балансный ВЧ (СВЧ) транзистор, предназначенный для работы в усилительных схемах с общим истоком. <...> На фланце корпуса 1, являющемся электродом истока, размещаются два идентичных кристаллодержателя 2 из бериллиевой керамики с рисунком металлизации на лицевой поверхности, образующие плечи транзистора. <...> В каждом плече <...>