Математика, 2005, ¹1 УДК 621.382.416 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ МАЛОСИГНАГНАЛЬНОЙ МОДЕЛИ И ШУМОВЫХ ИСТОЧНИКОВ ТОКА КОРОТКОКАНАЛЬНЫХ HEMT ТРАНЗИСТОРОВ В СВЧ ДИАПАЗОНЕ А. М. <...> Бобрешов, И. В. Хребтов Воронежский государственный университет В работе предложена модель для субмикронных транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT), в которой произведен учет доминирующих эффектов короткого канала, помимо эффекта насыщения дрейфовой скорости электронов. <...> Расчет основан на том, что в случае коротких затворов изменяется пороговое напряжение транзистора вследствие влияния этих эффектов. <...> На основе полученной модели рассчитаны ВАХ и характеристики S-параметров в схемотехнической среде DesignLab 8.0 и проведено их сравнение с экспериментальными данными. <...> Показано, что дополнительный учет этих коротко-канальных эффектов приводит к повышению точности модели. <...> Также исследовано влияние этих эффектов на параметры малосигнальной модели транзистора и предложен способ расчета шумовых источников тока его эквивалентной схемы в СВЧ диапазоне, используя известные характеристики для минимального коэффициента шума, на основе их сопоставления с рассчитанными значениями этого коэффициента. <...> Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT) на сегодняшний день обладают наилучшими перспективами для достижения граничной частоты вплоть до ТГц диапазона. <...> Одним из способов увеличения быстродействия транзисторов, а заодно и степени интеграции в ИС, является уменьшение их размеров, в частности, длины затвора, до субмикронных величин. <...> В таких структурах особую важность играют коротко-канальные эффекты (ККЭ), влияющие как на режим работы, так и на характеристики приборов, и при длинах затвора менее 1мкм ими уже нельзя пренебрегать. <...> При этом дополнительно к обыч© Бобрешов А.М., Хребтов И.В., 2005. <...> 26 но принимаемому во внимание в моделях эффекту насыщения дрейфовой скорости электронов, произведен учет и других доминирующих ККЭ, вследствие чего <...>