ВЕСТНИК ВГУ, Серия: Физика, математика, 2004, ¹2 УДК 538.221: 548.4 ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ ИОДНОГО ЦЕНТРА В КВАНТОВОЙ НИТИ ХЛОРИДА СЕРЕБРА С КРАЕВОЙ ДИСЛОКАЦИЕЙ © 2004 Ю. К. Тимошенко, В. А. Шунина Воронежский государственный университет Электронная структура релаксированных квантовых нитей AgCl и AgCl:J с краевыми дислокациями была рассчитана в приближении сильной связи с использованием кластерного подхода, в рамках зонной теории и методом рекурсий. <...> Согласно полученным данным имеются занятые энергетические уровни в нити AgCl с краевой дислокацией выше потолка валентной зоны идеального кристалла с максимальным отщеплением примерно 0.2 эВ. <...> Мы не обнаружили каких-либо локальных дислокационных уровней ниже дна зоны проводимости идеального кристалла. <...> Также было обнаружено, что отщепления локальных уровней иодной примеси замещения вблизи линии дислокации увеличиваются по сравнению с объемным случаем. <...> То есть, увеличение плотности краевых дислокаций в AgCl:J будет приводить к появлению более глубоких дырочных ловушек, чем в отсутствии дислокаций. <...> Это обстоятельство следует учитывать при интерпретации электронно-дырочных процессов в галогенидах серебра. <...> Кристаллы хлорида и бромида серебра с иодными примесями замещения широко используются для изготовления фоторегистрирующих сред, а также в академических исследованиях фотофизических процессов [1]. <...> В работе [2] методом функций Грина показано, что наличие одиночной примеси замещения иода в хлориде серебра приводит к появлению трижды вырожденных заполненных локальных уровней, отщепленных от потолка валентной зоны примерно на 0.1 эВ. <...> Принято считать, что при повышении концентрации иода образуются парные иодные центры неизвестной пространственной структуры, приводящие к появлению существенно более глубоких локальных уровней. <...> В настоящей работе показано, что и одиночные иодные центры вызывают появление более глубоких локальных уровней, если они попадают <...>