ВЕСТНИК ВГУ, Серия: Физика, математика, 2004, ¹2 УДК 621.3.049.744 РАСЧЕТ СОПРОТИВЛЕНИЯ РАСТЕКАНИЯ СТОКА В МОЩНЫХ СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРАХ © 2004 Б. К. Петров, Р. Г. Григорьев, П. А. Меньшиков Воронежский государственный университет Для современных типов мощных СВЧ МОП транзисторов с вертикальной структурой и с переменной толщиной подзатворного окисла между истоковыми p -области стока. -ячейками предложена физическая модель для расчета сопротивления растекания стока. <...> Получены формулы для сопротивления стока как в режиме усиления малого, так и в режиме большого сигнала, а также для предельных значений тока стока с учетом насыщения дрейфовой скорости электронов в n ВВЕДЕНИЕ Сопротивление растекания стока в вертикальных СВЧ МОП транзисторах может стать ограничивающим параметром для максимального тока стока наравне с сопротивлением канала. <...> Ранее [1, 2] приводились формулы для расчета сопротивления растекания в мощных вертикальных МОП транзисторах [1, 2], но предложенные модели позволяли производить расчет только в режиме усиления малого сигнала и не отражали реальное значение сопротивления растекания в режиме усиления большого сигнала. <...> Изменение конструктивных и технологических параметров, таких как появление толстого подзатворного окисла SiOd = 1 мкм , (рис. <...> 1, 2) ис, также требует создания новых мепользуемого для уменьшения проходной емкости Cзс 2 тодов расчетов сопротивления растекания в мощных вертикальных МОП транзисторах. <...> В [1] сопротивление растекания рассчитывается без учета толстого подзатворного окисла, и для случая усиления малого сигнала, когда в nющая поля E <⋅x 510 n() de se VE E V=⋅< = 1 10 / ⋅ RR R=+ рас пар cI,V -слое продольная составля3 В/см и дрейфовая скорость электронов не достигает насыщения ( 7см с ), в результате были получены следующие приближенные выражения: Рис. <...> Поперечное сечение единичной истоковой ячейки 78 µ Расчет сопротивления растекания стока в мощных СВЧ МОП транзисторах ≤≤ и Hh 2y H h 79 можно <...>