ВЕСТНИК ВГУ, Серия: Физика, математика, 2004, ¹2 УДК 538.915 МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНЕШНЕГО ДАВЛЕНИЯ НА ЭЛЕКТРОННУЮ СТРУКТУРУ ПЛЕНКИ HgBa2Ca2 Cu3 © 2004 О. И. Дубровский Воронежский государственный университет тронная структура, плотности электронных состояний и рентгеновские эмиссионные спектры пленки HgBa2 давления. <...> Показано, что основное влияние внешнее давление оказывает на электронную структуру медь-кислородных слоев пленки. <...> Cu3 O8 ВВЕДЕНИЕ Среди высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) купратов особое место занимает серия Hg-содержащих фаз с общей химической формулой HgBa Ca Cu Onn n − где n изменяется от 1 до 7, а 21 2 +2+ , индекс нем давлении ~31 ГПа [3]. <...> При этом точная причина увеличения Тс Ca2 Cu3 O8 с ростом внешнего давления P остается неясной. <...> Очевидно, изучение влияния внешнего давления на электронную структуру Hg-Baкупратов может способствовать пониманию причин существенного повышения критической температуры в этих материалах с ростом давления. <...> Поэтому в данной работе проведено моделирование электронной структуры и рентгеновских эмиссионных спектров пленки HgBa2 внешнего гидростатического давления до 10 ГПа и на основе полученных результатов изучена зависимость этих характеристик от давления. <...> В работе исследовалась пленка толщиной в одну элементарную ячейку. <...> Поскольку Ca2 Cu3 O8 33 при значениях нейно возрастает на 1.52 K при последовательном увеличении давления на 1 ГПа. <...> Наибольшая температура в 164 K достигнута в соединении HgBa2 ) в сверхпроводящее состояние в этих соединениях [13]. <...> Соединения этого ряда демонстрируют рекордные температуры перехода в сверхпроводящее состояние. <...> Более того, внешнее давление значительно увеличивает температуру перехода (Тс С помощью метода линеаризованных присоединенных плоских волн рассчитана элекCa2 при различных значениях внешнего гидростатического O8 многие физико-химические свойства объемного ВТСП-материала (в том числе и сверхпроводимость [4]) сохраняются и в пленках <...>