ВЕСТНИК ВГУ, Серия физика, математика, 2003, ¹ 1 УДК 621.3.049.77: 539.16.04 МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РЕЛАКСАЦИИ РАДИАЦИОННОГО ЗАРЯДА В МОП-СТРУКТУРАХ © 2003 М. Н. Левин, В. Р. Гитлин, А. В. Татаринцев, В. А. Макаренко, Т. Г. Меньшикова Воронежский государственный университет Представлен анализ кинетики релаксационных процессов радиационного заряда в структуре металлокиселполупроводник в диапазоне неразрушающих термических воздействий и излучений с энергиями квантов меньше ширины запрещенной зоны подзатворного окисла. <...> Анализ основан на численном решении системы уравнений, описывающих процессы туннелирования и термоэмиссии заряда в диэлектрических слоях с различным распределением ловушечных уровней, а также процесс фотоэмиссии электронов из полупроводника в слой диэлектрика. <...> Проведен анализ эволюции радиационного заряда в диэлектрике при комплексном воздействии на МОП-структуру ионизирующего воздействия, повышенных температур и фотоэмиссионных токов. <...> ВВЕДЕНИЕ Считается, что релаксация накопленного дырочного заряда в окисле после прекращения радиационного воздействия, обусловлена туннелированием электронов из кремниевой подложки [1, 2]. <...> О туннельном механизме разрядки объемного радиационного заряда свидетельствует логарифмический характер временной зависимости релаксации ot При отрицательном напряжении на затворе gV , Q [3, 4]. обеспечивающем наличие свободных дырок в ОПЗ кремния (состояний, куда может туннелировать электрон), возможно туннелирование электрона обратно в подложку с восстановлением положительно заряженного E′ -центра. <...> Существование порогового значения g V для такого обратного отжига свидетельствует о том, что туннелирование происходит в валентную зону кремния. <...> Это означает, что центры в окисле, с которых происходит туннелирование электронов, расположены ниже запрещенной зоны кремния. <...> Темп релаксации радиационного дырочного заряда в окисле резко возрастает при T>400 K. <...> Это <...>