ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.315.592 Свойства границы раздела в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29—0,39) с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. В. Васильев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, Г. Ю. Сидоров Экспериментально исследованы параметры пассивирующих слоев Al2O3 и двухслойного диэлектрика CdTe/Al2O3 путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0,29—0,39) с приповерхностными варизонными слоями с повышенным содержанием CdTe. <...> Показано, что структура с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 имеет по сравнению со структурой с одним слоем Al2O3 существенно меньшие значения плотности медленных состояний на границе раздела (в 50—100 раз) и плотности быстрых поверхностных состояний (в 50—100 раз). <...> Можно сделать вывод, что двухслойный диэлектрик CdTe/Al2O3 образует качественную границу раздела с n-Hg1-xCdxTe (x = 0,39). <...> PACS: 73.40Qv, 73.21As, 85.60Gz, 73.61Ga Ключевые слова: МДП-структура, теллурид кадмия ртути, оксид алюминия, теллурид кадмия, адмиттанс, плотность медленных состояний, спектр быстрых поверхностных состояний. <...> Введение Важной задачей при создании высокочувствительных инфракрасных детекторов на основе Hg1-xCdxTe является выбор пассивирующего покрытия [1]. <...> Основными параметрами пассивирующего покрытия являются напряжение плоских зон, заряд в диэлектрике, плотность медленных состояний на границе раздела, а также плотность быстрых поверхностных состояний [2]. <...> Метод молекулярно-лучевой эпитаксии предоставляет возможность выращивания пленок Войцеховский Александр Васильевич, зав. <...> E-mail: ifp@isp.nsc.ru Статья поступила в редакцию 8 июня 2016 г. © Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Васильев В. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Якушев М. В., Сидоров Г. Ю., 2016 HgCdTe с заданным распределением по толщине состава (содержания CdTe), что используется для оптимизации характеристик инфракрасных детекторов. <...> Создание приповерхностных варизонных слоев с повышенным содержанием <...>