Силовая электроника, № 5’2016 Силовая элементная база Исследования параметров и характеристик SIC-диодов Шоттки в гибридных IGBT-модулях ОАО «Электровыпрямитель» Представлены результаты исследований параметров и характеристик карбидокремниевых диодов Шоттки на напряжение 1200 В, используемых в гибридных IGBTмодулях в качестве оппозитных диодов (freewheeling diode — FWD), а также в линейке высокочастотных SiCдиодных модулей. <...> Алексей Бормотов Татьяна Шапетько Михаил Тогаев Вячеслав Мускатиньев nicpp@elvpr.ru Введение Расширение областей применения приборов силовой электроники и возрастающие требования к их эксплуатационным характеристикам привели к появлению новых широкозонных полупроводниковых материалов, в первую очередь карбида кремния. <...> Новые полупроводниковые приборы на основе SiC позволяют: • расширить диапазон рабочих частот; • увеличить диапазон эксплуатационных температур; • снизить статические и динамические потери; • повысить стойкость к аварийным режимам работы; • увеличить надежность и срок службы изделий; • снизить массу оборудования. <...> Широкому распространению карбидокремниевых полупроводниковых приборов в силовой электронике по-прежнему препятствует их высокая цена. <...> Однако стоит отметить, что некоторые задачи можно успешно решить с помощью комбинированных схем, в которые входят как SiC-компоненты, так и традиционные кремниевые приборы. <...> К ним относится разработка источников питания и преобразователей на основе ШИМ, имеющих частоты коммутации около 50 кГц. <...> Для этих устройств ОАО «Электровыпрямитель» производит серию гибридных IGBT-модулей на ток до 300 А и напряжение до 1200 В. <...> В данных модулях применяют кремниевые кристаллы IGBT и карбидокремниевые диоды Шоттки в качестве диодов обратного тока. <...> 12 Диоды Шоттки имеют практически нулевой заряд обратного восстановления, что существенно снижает энергию потерь как при обратном восстановлении диода, так и при включении IGBT, на ток включения <...>