ФИЗИКА УДК 621.391.82 УЧЁТ ВРЕМЕНИ ПОВТОРЕНИЯ И ЧИСЛА ИМПУЛЬСОВ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ ПРИ ОЦЕНКЕ УРОВНЕЙ СТОЙКОСТИ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ В РАМКАХ ТЕПЛОВОЙ МОДЕЛИ А. А. <...> На основе законов теплообмена между полупроводником и окружающей средой получено выражение для оценки уровней стойкости радиоэлектронных средств, учитывающее время повторения и число импульсов электромагнитного поля. <...> Оценена зависимость критического уровня плотности мощности, при котором происходит сбой работы компьютера, от параметров импульсной последовательности. <...> Проведён расчёт зависимостей уровня стойкости от числа импульсов для заданных длительности и времени повторения импульсов электромагнитного поля. <...> THE ACCOUNT OF TIME OF REPETITION AND NUMBER OF IMPULSES OF AN ELECTROMAGNETIC FIELD AT AN ESTIMATION OF LEVELS OF FIRMNESS OF RADIO-ELECTRONIC MEANS WITHIN THE LIMITS OF THERMAL MODEL A. <...> On the basis of heat exchange laws between the semiconductor and environment expression for an estimation of levels of firmness of the radio-electronicmeans, considering time of repetition and number of impulses of an electromagnetic field is received. <...> Calculation of dependences of level of firmness from number of impulses for the set duration and time of repetition of impulses of an electromagnetic field is lead. <...> The characteristic of process of an establishment of level of firmness is given. <...> Это вызвано необходимостью повышения эффективности функционирования радиоэлектронных средств (РЭС) и систем в различных условиях вплоть до максимально достижимого уровня [1]. <...> Уменьшение рабочих областей радиоэлементов, в особенности полупроводниковых структур, приводит к снижению уровней их стойкости по отношению к внешним электромагнитным воздействиям. <...> В то же время, в процессе работы радиоэлектронная аппаратура может быть подвержена воздействию электромагнитных полей (ЭМП) различной природы. <...> Поэтому вопросы оценки стойкости, как полупроводниковых приборов, так и РЭС в целом, приобретают особый интерес при решении задач поражения <...>