УДК 538.935 ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ИНДИЯ ПРОВОДИМОСТЬ ПЛЁНОК In2Te3 В Е. А. Михайлюк, Т. В. Прокопова, Е. А. Татохин, Н. Н. Безрядин Воронежский государственный университет инженерных технологий, Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил “Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю. А. Гагарина” Поступила в редакцию 26.09.2014 г. мостей дифференциальной проводимости в гетероструктурах Al−In2Te3 −InAs. <...> Расчёт значений Gp ным в диапазоне частот тестового сигнала f = (0,2ч20) кГц проводился с использованием эквивалентных схем. <...> Установлено, что на зависимостях Gp первый при частоте f ∼ 0,2 кГц соответствует центру с энергией Et ≈ 0,36 эВ, второй при f ∼ 4,6 кГц — Et ≈ 0,5 эВ. <...> Полученные в результате проведенных исследований данные о параметрах ЦЛЗ в пленках теллуридов достаточны для моделирования процесса Аннотация: в статье приведены результаты исследования температурных зависиω (ω) и Cp(ω) по экспериментальным зависимостям Gm(T) и Cm(T), полученω (ω) имеются два максимума: токопрохождения в этих слоях. <...> Ключевые слова: центры локализации заряда, эквивалентная схема гетероструктуры, дифференциальная проводимость и ёмкость. <...> THE CONDUCTIVITY OF THE FILMS In2Te3 IN HETEROSTRUCTURES ON THE BASIS OF INDIUM ARSENIDE E. <...> Bezryadin Abstract: the article presents the results of the study the temperature dependence of the differential conductance in heterostructures Al−In2Te3−InAs. <...> The calculated values and experimental dependences Gm(T) and Cm(T), obtained in the frequency range of the test signal f = (0,2 ч 20) kHz is carried out using equivalent circuits. <...> Keywords: localization centers of the charge, the equivalent circuit of the heterostructures, the differential conductivity and capacity. <...> ВВЕДЕНИЕ В ряду соединений AIIIBV арсенид индия занимает особое место. <...> Это обусловлено, вопервых, малой шириной запрещённой зоны (Eg = 0,36 эВ) и, во-вторых, малой эффективной <...>