УДК 29.19.16 ВЛИЯНИЕ ИМПУЛЬСНОГО ФОТОННОГО ОТЖИГА НА ФАЗОВЫЙ СОСТАВ И ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ ПЛЕНОК SiOx, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ УГЛЕРОДОМ Д. Е. <...> Михайлов3 1 Воронежский государственный университет 2 Воронежский государственный технический университет 3 Научно-исследовательский физико-технический институт Поступила в редакцию 05.09.2013 г. Аннотация: методами рентгеновской эмиссионной спектроскопии, рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной спектроскопии исследовано формирование нанокристаллов кремния и карбида кремния в процессе ИФО обработки пленок нестехиометрического оксида кремния SiOx после имплантации углерода. <...> Доказаноформирование нанокристаллов кремния со средним размером 10 нм, а также образование нанокристаллов карбида кремния. <...> Выявлен резкий рост фотолюминесценции в видимой области 460-800 нм после ИФО отжига. <...> Abstract: silicon and silicon carbide nanocrystals formation under the pulsed photon annealing of carbon implanted non stoichiometric silicon oxide films SiOx was investigated by means of X-ray emission spectroscopy, X-ray diffraction and transmission electron microscopy. <...> Silicon nanocrystals formation is shown with mean sizes of about 10 nm as well as silicon carbide nanocrystals formation. <...> ВВЕДЕНИЕ Получение нанокристаллов кремния заданного размера является важной и актуальной задачей современной опто- и наноэлектронники. <...> Такие нанокристаллы, помещенные в аморфную матрицу, обладают достаточно эффективной люминесценцией, в отличие от монокристаллического кремния, который является непрямозонным материалом. <...> С уменьшением размеров кристаллов кремния до нанометровых величин начинает работать квантово- размерное ограничение, благодаря чему вероятность излучательной рекомбинации резко возрастает [1]. <...> Одним из простых методов получения нанокристаллов кремния в аморфной матрице является нанесение пленок метастабильного монооксида кремния с последующим термическим Спирин Д. Е., Терехов В. А., Анисимов А. В., Нестеров Д. Н., Агапов Б. А., Степанова Н. А., Заc нин И. <...> № 2 Влияние импульсного фотонного отжига на фазовый состав и электронное строение <...>