Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634840)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Естественные и технические науки  / №6 2015

ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ГРАДАЦИИ В ФТОРИДСОДЕРЖАЩИХ РАСТВОРАХ В ПРИСУТСТВИИ КОНЦЕНТРИРОВАННОГО ОЗОНА (100,00 руб.)

0   0
Первый авторМантузов
АвторыПотапова Г.Ф., Гадлевская А.С., Кузнецов Е.В., Абрамов П.И.
Страниц8
ID491113
АннотацияУстановлено влияние концентрированного озона на закономерности электрохимического травления образцов полупроводниковых пластин кремния (ППП Si) солнечной градации в фторидсодержащих растворах. В присутствии концентрированного озона изменяется характер электрохимического травления, имеется предельный ток в широком интервале потенциалов от –1,0 В и до +2,0 B.
ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ГРАДАЦИИ В ФТОРИДСОДЕРЖАЩИХ РАСТВОРАХ В ПРИСУТСТВИИ КОНЦЕНТРИРОВАННОГО ОЗОНА / А.В. Мантузов [и др.] // Естественные и технические науки .— 2015 .— №6 .— С. 468-475 .— URL: https://rucont.ru/efd/491113 (дата обращения: 26.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Естественные и технические науки, № 6, 2015 пЛПЛ˜ВТН‡fl ЪВıМУОУ„Лfl Технология электрохимических процессов и защита от коррозии Мантузов А.В., старший научный сотрудник Потапова Г.Ф., кандидат химических наук, ведущий научный сотрудник Гадлевская А.С., аспирант Кузнецов Е.В., доктор технических наук, профессор, главный научный сотрудник Абрамов П.И., кандидат химических наук, доцент, зам. директора (Научно-исследовательский физико-химический институт им. <...> Л.Я. Карпова) ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ГРАДАЦИИ В ФТОРИДСОДЕРЖАЩИХ РАСТВОРАХ В ПРИСУТСТВИИ КОНЦЕНТРИРОВАННОГО ОЗОНА Установлено влияние концентрированного озона на закономерности электрохимического травления образцов полупроводниковых пластин кремния (ППП Si) солнечной градации в фторидсодержащих растворах. <...> В присутствии концентрированного озона изменяется характер электрохимического травления, имеется предельный ток в широком интервале потенциалов от –1,0 В и до +2,0 B. <...> В этих условиях возможно анодное растворение Si, протекающее и по механизму селективногообразованием por-Si) и по механизму полирующего травления (c образованием оксидов SiO2). <...> Cкорости образования SiO2 и por-Si зависят от соотношения концентраций озона и бифторида аммония в растворе. <...> Возможно разность скоростей травления i2 - i1 есть скорость образованием поверхностных структур типа ●O-O-Si≡O3 перокси радикала озона. <...> В концентрированных растворах бифторида аммония (NH4HF2), в присутствии озона, даже без наложения внешней поляризации изменяются не только коррозионно-электрохимические характеристики (потенциал свободной коррозии (Ekor ,B)), скорости коррозии образцов ППП Si солнечной градации, но и морфология, структура поверхностного слоя. <...> Высказано предположение, что роль озона в NH4HF2 травильных растворах заключается в модификации поверхностного слоя ППП Si солнечной градации с образованием поверхностных структур типа O3= Si – O и др. <...> ELECTROCHEMICAL <...>