Естественные и технические науки, № 1, 2014 Физика Физика полупроводников Боднарь О.Б., доктор технических наук, профессор Российского государственного университета нефти и газа имени И.М. Губкина Хусаинов Ш.Г., доктор педагогических наук, профессор Российского государственного аграрного университета – МСХА имени К.А. Тимирязева ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ДИФФУЗИИ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ МЕТОДОМ ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-ФАРАДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ P–N-ПЕРЕХОДА Метод позволяет по данным вольт-фарадной характеристики р–п-перехода и математической модели процесса диффузии, в результате которого создан р–п-переход, определять концентрационные профили введенной в полупроводник примеси. <...> Метод может применяться для неразрушающего контроля концентрационных профилей приборных структур с одним или несколькими р–ппереходами, созданными с применением диффузионных процессов, к которым относится также постимплантационный отжиг. <...> В слаболегированном полупроводнике диффузионным методом создают p–n-переход и при двух значениях приложенного к p–n-переходу напряжения Um и Un, причем Um больше Un измеряя значения емкостей p–n-перехода, определяют параметр n по формуле: n CC = − Cm nm ределяемого как где Сm и Сn – измеренные емкости p–n-перехода для значений Um и Un соответственно. <...> Затем производят теоретический расчет численной зависимости того же параметра n, опl n = l m n n − l , (2) 23 , (1) Естественные и технические науки, № 1, 2014 где lm, ln – ширина области пространственного заряда (ОПЗ) р–n-перехода при напряжении смещения Um и Un соответственно. <...> Идентичность значений n, определяемых выражениями (1) и (2), следует из преобразований ln n = − = ln lm ln εε − εε εε 0s lm 0s ln 0s = 1 1 C C C n − m 1 n где s – площадь р–п-перехода; ε – диэлектрическая проницаемость ОПЗ; ε0 – электрическая постоянная. <...> Следует отметить, что введение параметра n позволяет произвести нормировку, исключающую ошибку, связанную с необходимостью знания точных значений диэлектрической проницаемости <...>