М АШИНО СТРОИТЕЛЬ www.mashizdat.ru УДК 621.397 Попов В.В., канд. техн. наук, президент, ОАО «Светлана» Вьюгинов В.Н., канд. физ.-мат. наук, директор, ЗАО «Светлана -Электронприбор» Гудков А.Г., д-р техн. наук, профессор МГТУ им. <...> Н.Э. Баумана Травин Н.К., вед. инженер- технолог, ЗАО «Светлана -Электронприбор» ПРОГНОЗИРОВАНИЕ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ ИС СВЧ НА ЭТАПАХ РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА Часть 60. <...> Технология резки монокристаллов карбида кремния Проведен анализ рынка и выбрано оборудование для резки монокристаллов SiC. <...> Оптимизирована технология резки монокристаллов SiC диаметром 3 дюйма. <...> Достигнутые в работе параметры прогиба и коробления подложек не превышают 17 мкм, разброс по толщине подложек после резки не превышает 20 мкм. <...> Bauman N.K.Travin, Leading Engineer, CJSC «Svetlana-Semiconductors» FORECASTING OF INTEGRAL SCHEMES OF MICROWAVE FREQUENCY QUALITY AND RELIABILITY AT THE DEVELOPMENT AND MANUFACTURE STAGES Part 60. <...> The slicing technology of SiC bulk crystal In this article, the market analysis was performed and the equipment for SiC bulk crystal slicing was selected. <...> 3-inch SiC bulk crystal slicing production technology was optimized. <...> The parameters of water bow and warp, obtained in the research, are less than 17 microns, and the TTV was found to be less than 20 microns after slicing. <...> На основе подложек SiC с эпитаксиальными слоями карбида кремния или нитрида галлия возможно изготовление СВЧ электронной компонентной базы (ЭКБ) и приборов силовой электроники, которые могут работать в широком диапазоне температур, а также обладают высокими энергетическими характеристиками и радиационной стойкостью. <...> Для СВЧ ЭКБ в настоящее время используются полуизолирующие подложки политипов 4H-SiC и 6H-SiC, а для силовой электроники проводящие подложки политипа 4H-SiC. <...> В технологии изготовления подложек указанных типов, с минимальным разбросом геометрических параметров и как можно меньшим нарушен28 ным слоем, большое значение имеет <...>