2014 УДК 621.375.026 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ КРИОГЕННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ SiGe БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ ТЕМПЕРАТУРЕ 4,2 К1 Б.И. Иванов Новосибирский государственный технический университет Современная микроэлектроника на основе эффектов Джозефсона и сверхпроводимости получает всю большую актуальность за счет сверхвысокой чувствительности к электромагнитному излучению. <...> Соответственно, параллельно развиваются криогенные охладительные системы и считывающая электроника для них. <...> Для экспериментального исследования свойств сверхпроводящих квантовых интерференционных детекторов (СКВИД) и устройств на одиночных быстрых квантах магнитного потока (RSFQ) при криогенных температурах вплоть до 4,2 К в полосе частот 10 кГц… <...> 500 МГц были разработаны и экспериментально исследованы криогенные усилители на основе SiGe гетероструктурных биполярных транзисторов. <...> Коэффициент усиления по напряжению составляет 15 дБ при максимальной мощности рассеивания 750 мкВт для представленного диапазона частот. <...> Шумовая температура и эквивалентное шумовое сопротивление составляют менее 2 К и 50 Ом соответственно при температуре эксперимента 4,2 К и спектральной плотности шума напряжения 35 пкВ/√Гц, приведенного ко входу. <...> Малое эквивалентное шумовое сопротивление и малая шумовая температура позволяют использовать предложенные криогенные усилители в системах детектирования сигналов приведенных выше сверхпроводниковых устройств. <...> При этом малая мощность рассеивания позволяет увеличить число измерительных трактов за счет увеличения общего числа усилителей в криостате до нескольких десятков. <...> Ключевые слова: криогенный усилитель, усилитель для СКВИД, сверхпроводниковый квантовый бит, устройства на одиночных быстрых квантах магнитного потока, малошумящий усилитель, малая шумовая температура, усилитель для высокодобротных сверхпроводниковых резонаторов. <...> Введение Современная технология изготовления твердотельной <...>