Features of the internal getter formation for CCD in 150-mm wafers made of silicon with more perfect structure E. V. Kostyukov, M. A. Pospelova, T. F. Rusak Federal State Unitary Enterprise Science & Production Enterprise "Pulsar", 27 Okruzhnoi proyezd, Moscow, 105187, Russia E-mail: pulsar@dol.ru; mpospelova@pulsarnpp.ru 4, 2011 Yu. <...> B. Vasiliev, A. N. Petlitski, A. S. Turtsevich JSC "Integral", 16 Korzhenevsky str., Minsk, 220108, Belarus 20 Ohm · cm ("ELMA" 2003 year) in contrast to the 100-mm CZ silicon wafers (the same dopant and resistivity, ELMA, 1986, 1990) it is necessary either to make long annealing at 700 form the first anneal at 1200 C in oxygen ambient. <...> This implies that the 150-mm silicon wafers C. For internal getter creation in the 150mm CZ silicon wafers boron doped with resistivity C or to percontain few grown-in defects, and therefore for precipitate nucleation and growth, it is necessary either to make a long low-temperature anneal or to have a vacancy flux in the bulk of a wafer which is formed during oxidation of the wafer surface in course of the first anneal at 1200 PACS: 85.60.Gz, 61.72.uf, 61.72.Yx Keywords: internal gettering, charge-coupled device, oxygen precipitation, vacancy flux in the bulk of wafer. <...> Для создания внутреннего геттера в пластинах КДБ20 диаметром 150 мм (ОАО "ЭЛМА" 2003) в отличие от пластин КДБ20 диаметром 100 мм КДБ20 ("ЭЛМА", 1986, 1990) необходим либо длительный отжиг при 700 °С, либо проведение первого отжига при 1200 °С в атмосфере кислорода. <...> Это показывает, что пластины диаметром 150 мм содержат мало ростовых дефектов, поэтому для зарождения преципитатов необходим либо низкотемпературный отжиг, либо поток вакансий в объеме пластины, который образуется при окислении поверхности в ходе проводящегося первым отжига при 1200 °С! <...>