Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 595394)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Компоненты и технологии  / №9(182) 2016

Улучшение конструкции силового модуля за счет новых IGBT пятого поколения (50,00 руб.)

0   0
Первый авторРуше вильгельм
АвторыШтергер АндреР.
Страниц5
ID446667
АннотацияПовышение тепловой мощности (рабочей температуры кристалла TVJ, op = +175 °C) силовых модулей биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) пятого поколения и диодов с контролируемой инжекцией эмиттера компании Infineon Technologies позволяет увеличить выходной ток силовых модулей, используемых в инверторных преобразователях
Руше, В. Улучшение конструкции силового модуля за счет новых IGBT пятого поколения / В. Руше, АндреР. Штергер // Компоненты и технологии .— 2016 .— №9(182) .— С. 92-96 .— URL: https://rucont.ru/efd/446667 (дата обращения: 26.09.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

90 силовая электроника Улучшение конструкции силового модуля за счет новых IGBT пятого поколения Повышение тепловой мощности (рабочей температуры кристалла Вильгельм РУШЕ (Wilhelm RUSCHE) Андре Р. <...> Модуль PrimePACK 3+ объединяет в себе технологию . <...> XT и новый подход к конструированию, позволяющий увеличить максимальный ток нагрузки без изменения формфактора более раннего модуля PrimePACK 3. <...> Новый корпус PrimePACK 3+ выполнен с помощью второй шины переменного тока и второй клеммы переменного тока. <...> Это решение заметно сокращает максимальную температуру внутри модуля при увеличении тока на 30% и позволяет работать при температуре кристалла на 25 К выше по сравнению с модулем PrimePACK 3. <...> Д Расширение диапазона мощности В прежнем корпусе, PrimePACK 3, максимальный рабочий ток в полумостовой топологии составлял 1400 А. <...> XT [1, 3] в PrimePACK 3+ это TVJ, op = +175 °C) силовых модулей биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) пятого поколения и диодов с контролируемой инжекцией эмиттера компании Infineon Technologies позволяет увеличить выходной ток силовых модулей, используемых в инверторных преобразователях. ля того чтобы оптимально использовать преимущества работы с высокой температурой кристалла, необходимо значение увеличено примерно на 30% и достигает 1800 А при температуре кристалла Tvj, op = +175 °C [1, 2], что позволяет добиться высокой надежности и длительного срока службы, требуемых для модулей в инверторных преобразователях. <...> 1 показан новый модуль PrimePACK 3+, который реализует весь потенциал кристаллов IGBT пятого поколения с рабочими напряжениями 1200 и 1700 В для мощных силовых устройств [4] с той же занимаемой площадью, что и хорошо зарекомендовавшие себя модули PrimePACK 3. <...> Потенциально достижимая плотность тока в модуле ограничивается нагрузочной способностью внутренней шины. <...> Чтобы преодолеть данное ограничение, конструкция модуля была изменена добавлением второй силовой клеммы переменного тока. <...> Для проверки эффективности внесенных изменений до начала <...>