54 УДК 621.383.4 Исследование фотоэлектрических параметров фотоприемного модуля формата 320Ч256 на основе InGaAs Д. Л. <...> Балиев, П. С. Лазарев, К. О. Болтарь Исследованы темновые токи фотодиодов и основные фотоэлектрические параметры фотоэлектронных модулей коротковолнового ИК-диапазона (0,9—1,7 мкм) формата 320Ч256, выполненных с шагом 30 мкм на основе эпитаксиальных гетероструктур InGaAs на подложке InP и изготовленных по планарной и меза-технологии. <...> Dw, 85.60.Gz Ключевые слова: ФЭМ, темновой ток, обнаружительная способность, вольтовая чувствительность, меза-структура, InGaAs, коротковолновый ИК. <...> Введение Использование инфракрасных матричных фотоэлектронных модулей (ФЭМ) на основе p─i─n-фотодиодов, изготовленных в структурах InGaAs, перспективно для решения ряда важных задач, например, таких как лазерная локация, приборы ночного видения [1—11]. <...> Преимущество ФЭМ коротковолнового ИК-диапазона на основе фотодиодов в гетероэпитаксиальной структуре InGaAs состоит в возможности работы при температурах, близких к комнатной. <...> Использование термоэлектрического охлаждения (ТЭО) существенно снижает массогабаритные характеристики и цену по сравнению с ФЭМ среднего и дальнего ИК-диапазонов, которые охлаждаются криогенными системами. <...> ФЭМ выполнен с шагом 30 мкм на основе эпитаксиальных гетероструктур InGaAs на подложке InP и изготовлен по планарной и меза-технологии. <...> В состав ФЭМ входит БИС считывания с трансимпедансным усилителем в ячейке. <...> Использование трансимпедансного усилителя дает возБалиев Дмитрий Леонидович, инженер. <...> E-mail: orion@orion-ir.ru Статья в редакцию 13 августа 2014 г. © Балиев Д. Л., Лазарев П. С., Болтарь К. О., 2014 можность реализовать эффективное накопление слаботочных сигналов. <...> Использование блока электронного сопряжения сигналов с цифровым выходом позволяет избежать излишних внешних наводок и полностью оптимизировать соотношение сигнал/шум фотоприемника. <...> Целью данной работы являлось исследование темновых токов фотодиодов <...>