62 УДК 621.315.592 Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. В. Васильев, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Д. Кузьмин, В. Г. Ремесник, Ю. Г. Сидоров Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23) в широком диапазоне частот и температур. <...> Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структуры на основе p-HgCdTe, легированного As, ограничено процессами туннельной генерации в диапазоне температур 8—100 К. <...> Для МДП-структур на основе пленки p-HgCdTe, в которой произошла конверсия типа проводимости после отжига, сопротивление области пространственного заряда определяется генерацией Шокли-Рида в диапазоне температур 50—77 К. <...> Ключевые слова: МДП-структура, теллурид кадмия ртути, состав, варизонный слой, спектроскопия адмиттанса, область пространственного заряда, механизмы генерации носителей заряда. <...> Введение Одним из востребованных типов детекторов на основе узкозонного полупроводникового твердого раствора p-Hg1-xCdxTe являются матричные фотодиоды для спектрального диапазона окна прозрачности атмосферы 8—14 мкм, которые создаются на основе p—n-переходов из Hg1-xCdxTe при x = 0,21—0,23 [1, 2]. <...> Выращивание HgCdTe при помощи метода молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) обеспечивает возможности выращивания пленки с заданным распределением состава по толщине пленки, что используется для оптимизации характеристик приборов оптоэлектроники на Сидоров Юрий Георгиевич, главный научный сотрудник2. <...> E-mail: dvor@isp.nsc.ru Статья поступила в редакцию 14 августа 2014 г. © Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Васильев В. В., Варавин В. С., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Кузьмин В. Д., Ремесник В. Г., Сидоров Ю. Г., 2014 Войцеховский Александр Васильевич, зав. <...> Например, создание приповерхностных слоев с повышенным содержанием CdTe позволяет уменьшить влияние поверхностной рекомбинации на время жизни носителей <...>