№ 4 УДК 681.782.472 ИССЛЕДОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ РАМАНОВСКОГО УСИЛЕНИЯ В ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛАХ © 2014 г. А.А. Акопов Акопов Александр Андреевич – аспирант, физический факультет, Южный федеральный университет, ул. <...> Исследована многослойная однородная металлодиэлектрическая структура рамановского усилителя оптических сигналов с чередующимися слоями активной металлической среды и диэлектрика – оптического фотонного кристалла. <...> Активная среда возникает за счет эффекта вынужденного рамановского рассеяния на границе фотонной запрещающей зоны фотонного кристалла. <...> Накачка производится на частоте Стокса для данной структуры. <...> Продемонстрирована возможность эффективного сочетания однородной структуры и фотонного кристалла. <...> Ключевые слова: фотонные кристаллы, вынужденное рамановское рассеяние, рамановский усилитель, металлодиэлектрическая структура. <...> Multilayered metal-dielectric structure of the Raman amplifier for optical signals made of alternate layers of active metal medium and passive dielectric – optical photonic crystal has been studied. <...> The active medium appears from the effect of the stimulated Raman scattering on the photonic bandgap border of the photonic crystal. <...> The possibility to effectively combine uniform structure and photonic crystal has been demonstrated. <...> Комбинационное рассеяние света, или эффект Рамана, – неупругое рассеяние оптического излучения на молекулах вещества, сопровождающееся заметным изменением частоты излучения [1]. <...> Причиной изменения частоты является процесс, в результате которого под действием падающего светового кванта появляется другой световой квант и одновременно в среде происходит выделение или поглощение определенной порции энергии, которая связана с колебаниями атомов или переходами электронов между уровнями. <...> Спонтанное комбинационное рассеяние света проявляется крайне слабо. <...> В случае материала с фотонной запрещающей зоной (ФЗЗ) фотон излучается, претерпевает браговское отражение и снова возбуждает излучивший атом. <...> Если частота излучения близка к ФЗЗ фотонного кристалла (ФК) проявляется эффект усиления комбинационного рамановского рассеяния <...>