Причины возникновения тока в концепции «снизу – вверх» Юрий Алексеевич Кругляк1 email: quantumnet@yandex.ua 2 , Наталья Ефимовна Кругляк2 1 Одесский государственный экологический университет, Одесса, Украина; Одесский национальный университет им. <...> И.И. Мечникова, Одесса, Украина; email: krtstudio@yandex.ua В рамках концепции «снизу – вверх» современной теоретической и прикладной наноэлектроники рассматриваются причины возникновения тока и роль электрохимических потенциалов и фермиевских функций в этом процессе. <...> Ключевые слова: наноэлектроника, молекулярная электроника, снизу – вверх, электрический ток, электрохимический потенциал, функция Ферми. <...> Введение Бурное развитие наноэлектроники в последние 10 – 15 лет привело не только к созданию и широкому использованию нанотранзисторов и других разнообразных наноразмерных устройств электроники, но и к более глубокому пониманию причин возникновения тока, обмена и диссипации энергии и принципов работы устройств в целом как наноразмерных, так и привычных электронных приборов [1 – 4]. <...> В наши дни фактически происходят революционные изменения в электронике, что влечет за собой необходимость пересмотра содержания университетского физического образования. <...> Похожая революционная ситуация наблюдалась 50 лет назад после открытия транзистора, что привело не только к повсеместному использованию устройств микроэлектроники, но и к коренному пересмотру университетских и инженерных курсов общей физики, не говоря уже о специальных курсах в области электроники и смежных дисциплин. <...> С переходом в наши дни к мезо и наноскопике нано и молекулярные транзисторы требуют с самого начала для своего описания и моделирования законов квантовой механики и неравновесной статистической термодинамики, что неизбежно приведет к пересмотру физического образования уже на начальных университетских курсах. <...> Причины возникновения тока в концепции «снизу – вверх» Согласно закону Ома <...>