Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 542196)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Химическая физика и мезоскопия  / №2 2014

РАСЧЕТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ РАСЧЕТЫ ТЕЛЛУРИДА (300,00 руб.)

0   0
Первый авторПИРОГОВА
АвторыКАЛУГИН А.И., СОБОЛЕВ В.В.
Страниц6
ID414664
АннотацияОпределены зоны и плотности состояниNй(E) теллурида кадмия в интервале от -61 до 33 эВ относительно максимума валентных зон с учетом споирнб-итального взаимодействия и без его учета, а ет акж парциальные вклады s-,p-,d-состояний обоих компонент соединения в формироваенизон иN(E). Расчеты выполнены методом FP-LAPW с обменно-корреляционнымпотенциалом в обобщенном градиентном приближении (LAPW + GGA) с помощью пакета програWммI EN2k.
УДК537.226.112 УДК
РАСЧЕТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ РАСЧЕТЫ ТЕЛЛУРИДА [Электронный ресурс] / ПИРОГОВА, КАЛУГИН, СОБОЛЕВ // Химическая физика и мезоскопия .— 2014 .— №2 .— С. 123-128 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/414664

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 537.226.112 РАСЧЕТЫ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ ПИРОГОВА Л.С., КАЛУГИН А.И., СОБОЛЕВ В.В. <...> Определены зоны и плотности состояний N(E) теллурида кадмия в интервале от -61 до 33 эВ относительно максимума валентных зон с учетом спин-орбитального взаимодействия и без его учета, а также парциальные вклады s-, p-, d-состояний обоих компонент соединения в формирование зон и N(E). <...> Расчеты выполнены методом FP-LAPW с обменно-корреляционным потенциалом в обобщенном градиентном приближении (LAPW + GGA) с помощью пакета программ WIEN2k. <...> ВВЕДЕНИЕ Теллурид кадмия один из самых модельных бинарных кристаллов с простейшими структурами решетки и межатомных типов связи. <...> Он широко применяется в разработках различных приборов, в том числе для солнечных элементов и датчиков рентгеновского и других жестких излучений [1 – 3]. <...> Теоретически электронная структура CdTe исследована многими методами: без учета спин-орбитального взаимодействия (СОВ) методами Коринги-Кона-Ростокера [4], сильной связи (LCAO) [5, 6], комбинацией методов сильной связи и псевдопотенциала [7], линеаризованных маффин-тин орбиталей (LMTO) [8, 9], ортогонализованных плоских волн [10, 11], в квазичастичном приближении GW [12] или с его учетом методами локального эмпирического псевдопотенциала (LEPP) в комбинации с kp-методом [13], EPP [14], NLEPP [15], LMTO [16, 17], комбинацией методов PP + DFT + LDA [18]. <...> В большинстве работ получены только три нижние зоны проводимости, спектры плотностей состояний рассмотрены только в одной работе [8], а положение остовных d- и s-зон весьма противоречиво по трем вариантам: они смешаны, d-зоны выше s-зон или наоборот s-зоны выше d-зон. <...> При этом не выяснена роль учета эффекта СОВ. <...> Цель настоящего сообщения получить новую информацию об электронной структуре теллурида кадмия, в том числе о влиянии эффекта СОВ на структуру зон, парциальных вкладов s-, p-, d- состояний кадмия и теллурида на формирование занятых и свободных состояний спектра N(E) и их конкуренции. <...> МЕТОДЫ РАСЧЕТОВ Электронная <...>