УДК 538.911 С.Ю. Суздальцев*, А.В. Маркин**, Д.В. Нефѐдов*, Ю.А. Филимонов* АНИЗОТРОПНЫЙ РОСТ АЛМАЗОГРАФИТОВОГО КОМПОЗИТНОГО МАТЕРИАЛА В СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНОЙ ПЛАЗМЕ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ (*Институт радиотехники и электроники им. <...> Н.Г. Чернышевского) e-mail: suzdaltsevsy@rambler.ru Показана возможность селективного осаждения углеродного материала на участки подложки с различающейся электропроводностью, в условиях приложения потенциала к участку с большей электропроводностью. <...> Определено, что исследованные алмазографитовые пленки обладают отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, при этом энергия активации проводимости изменяется в диапазоне 0,26– 1,45 эВ, зависящем от толщины пленки. <...> Ключевые слова: алмазографитовый композит, энергия активации, перколяция, СВЧ плазма низкого давления Углеродные материалы различных аллотропных модификаций и их композиты можно применять в качестве активных элементов устройств с уникальными электронными характеристиками [1, 2]. <...> Однако необходимость в уменьшении размеров составных элементов для микро- и наноэлектронных приборов и потребность в сокращении технологических операций при их изготовлении заставляет разработчиков не только применять углеродные материалы, но и искать способы формирования составных элементов без включения литографических процессов в технологическую цепочку. <...> Поэтому, актуальной задачей является получение углеродных проводниковых или полупроводниковых элементов для микро- и наноэлектронных приборов без использования литографии. <...> Одним из путей селективного осаждения материала в заданных местах подложки является использование разности скоростей роста из-за влияния электрофизических неоднородностей уже содержащихся на поверхности [3]. <...> Безусловно, привлекательно применять топологические неровности и/или участки разнородных материалов от уже изготовленных элементов электронных приборов. <...> Целью представляемой работы является <...>