УДК 537.525 А.В. Дунаев, С.А. Пивоваренок, С.П. Капинос, Д.Б. Мурин ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА СКОРОСТЬ ТРАВЛЕНИЯ И КАЧЕСТВО ПОВЕРХНОСТИ GaAs ПРИ ОБРАБОТКЕ В ПЛАЗМЕ HCl-Ar, HCl-Cl2, HCl-H2 (Ивановский государственный химико-технологический университет) e-mail: dunaev-80@mail.ru, sap@isuct.ru, dim86@mail.ru Проведено исследование влияния температуры на скорость травления GaAs в смесях HCl/Ar, HCl/H2, HCl/Cl2. <...> Найдены эффективные энергии активации процесса травления в смесях HCl/Ar, HCl/H2, HCl/Cl2. <...> Значения энергий активации для всех газовых сред характерны для реакций, лимитируемых адсорбционно-десорбционными процессами на поверхности материала. <...> Показано, что оптимальное сочетание скорости травления и шероховатости поверхности достигается в смеси HCl/Ar. <...> В смесях с H2 скорости травления слишком малы при хорошем качестве поверхности, а в смесях с Cl2 шероховатость поверхности превышает допустимые значения. <...> Ключевые слова: плазма, травление, хлористый водород, аргон, хлор, водород, качество поверхности ВВЕДЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ Плазма разрядов в смесях хлористого водорода с различными газами находит применение при проведении процессов плазмохимического травления ряда полупроводников, в частности, соединений типа AIIIBV [1,2]. <...> Основными реагирующими частицами в такой плазме являются атомы хлора, вклад атомов водорода связан, в основном, с восстановлением поверхностных оксидов [3,4]. <...> Остается вопрос о методах контроля поверхности полупроводника после операции травления. <...> Целью данной работы являлось исследование влияния температуры на процесс плазмохимического травления GaAs в смесях HCl-Ar, HCl-Cl2 и HCl-H2 в условиях тлеющего разряда постоянного тока, а так же качества поверхности образцов полупроводника, после обработки в указанных смесях. <...> 50 Для экспериментального исследования взаимодействия плазмы HCl и его смесей с молекулярными и инертными газами с GaAs в условиях тлеющего разряда постоянного тока использовался цилиндрический проточный плазмохимический <...>